技术参数
1.高真空模式：3.0 nm (30 kV) 8.0 nm (3 kV) 15.0 nm (1 kV)
2.低真空度：1 to 270Pa，高、低真空切换
3.全对中样品台：X:80mm Y:40mm T:-10 to +90度 R:360度
4.加速电压：0.5kV to 30Kv束流1pA—1uA
5.放大倍数：5 ---- 300,000倍
主要特点
1.既保证高电压下的高分辨率，也可提供低电压下高质量的图像。
2.全自动电子枪，工厂预对中灯丝。
3.高灵敏度半导体背散射探头
4.超级◥圆锥形物镜，高精度的变焦聚光镜系统
5.大样品室，全对╳中的样品台，大视野观察范围可观测到2厘米见方的样品
