技术参数：
1.磁控溅射枪和电源：
?圆形溅射枪
--溅射枪：1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 13 inch
--超高真空溅射枪：1, 2, 3, 4 inch
?永磁体：NdFeB
--固定磁体：薄膜均匀性<±3.0 %
--移动磁体：薄膜均匀性<±1.5 %
?阴极：OFHC Copper
?矩形溅射枪
--宽：1,5 to 4 inch (to 10 inch for double erosion)
--长度：5 to 25 inch (to 120 inch for large planar area deposition)
--永磁体：NdFeB
--阴极：OFHC Copper
?电源
?直流电源：1 to 20 kW
?中频电源: 1 to 20 kW
?射频电源：0.3 to 15 kW
2.薄膜沉积控制：
?IC-5 and PC Control
--沉积参数控制※
--石英晶体振荡传感器-Single, dual or six sensor
?膜厚监控和沉积过程计算机︾控制 ?膜厚监控和沉积速率计算机控制
?大面积沉积（如 ITO上沉积LCD） ?可升级为在线磁控溅射系统
?基底尺寸：20 up to 120 inch ?质量流量和自动々压力控制 --质量流量控制器：多种气体控制
?Baratron真空规：用于等离子体处理 ?节流⊙阀和控制器
3.真空室：
?圆柱形腔体
--直径: φ300 ~ 2,000 (Substrate : 2 to 12 inch, 1 to 400 sheets)
--高度: 500 mm
?方形腔体 ?根据客户需求定制 ?带自动样品递送装置①的Loadlock样品加载室
4.真空泵和测量【装置：
?低真空：干泵和convectron真空规 ?高真空：涡轮分▲子泵，低温泵和离子规
5.控制系统：
?硬件：PLC和计算机触↓摸屏控制 ?自动和手动沉积控制
仪器特点：
?射频电源：基底〖预先清洗和等离子体辅助沉积
?温度控制器：基底加热
?大面积基底传送装置
?冷却系统
