利用聚焦离子束对半导体用光罩或者线路上〖缺陷部分进行修复的装置．可以对应65nm制程新世代Binary和Half tone mask上的微小缺陷以及复杂形状的缺陷进行高精度和低损伤的修复。
特 点 修正精确度从原来的15nm(3σ)提升到10nm(3σ)，采用新型的离子束光√学系统，提高了离子束的稳定性。同时聚焦更【好的离子束，可以对微小的缺陷的形状和细节进行观察。能够对观察到的缺陷真实的扫描并修正。而且样品◤室搭载了温度调控系统，减少温差变化，从而▆降低因温度导致的离子漂移。
从被用在半导体设计图文件的EB图形数据中撷取缺陷部分△原有正常的图形，利用与缺陷部分ㄨ对照，可以修复到近似正常的图形。在修复OPC等复杂形状的□ 时候，能够还原◆最真实的形状。
采用曝光●机等级的SMIF传输设备。利用SMIF Pod，能在高洁净度的传输设备中移动光罩，有效¤确保光罩洁净度。
