1.分辨率:高真空(SE)1.2nm at 30kv,<3.0nm at 3kv; Attach In Beam:高真空(SE)1.0nm at 30kv 低真空模式(BSE,LVSTD)2.0nm at 30kv,3.0nm at 3kv 2.放大倍数:3 to 1000000x 3.真空系统:高真空:样品室<1*10 -2Pa, 枪体真空<1*10 -6Pa 低真空:7 to 150Pa,高、低真空可随时方便切换. 4.加速电压0.5kV to 30Kv 5.电子束电流2pA—20nA 6.内部直径: 300mm(宽) x 300mm(深) 样品室门:280mm(宽) x 310mm(高) 接口数: 9+ 7.样品台行程: X=130mm——马达控制 Y=130mm——马达控制 Z=100mm——马达控制 R=360°连续马达控制 T=-20° 至80°马达 最大样品高度№143mm.