| 主要特点 | ||
| 膜厚最薄可测至5nm 可测五层镀层美每层10个元素 可测铜镀锡铜、锡铜厚度及成份比例 | ||
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| X射线产生部 照射方式 上部垂直照射方式 电压 15、45、50kV 3段切换 电流 4-1000μA 靶材 Mo 准直器 自动切换 检测器 形式 Si(Li)半导体检测器 真空瓶容量 10升 消耗量 1升以下/天 测量元素、测量器 从Na到U(Be窗口) 样品观察 CCD监视器 彩色、40万像素；1/2英吋 观察倍率 30倍、90倍、自动切换 照明 卤族元素灯 膜厚最薄可测至5nm X射线管球为 自动聚焦或普通聚焦 管电流 50/45/15kV 准直线 □25μm、ψ0.1mm、ψ1.8mm |
