摘要：本实用新型公开了一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长装置，其特征在于，所述装置包括超高真空反应腔、控制器、衬底加热器、衬底托板架和分子束源炉，所述控制器通过操纵杆透过超高真空反应腔上部连接衬底加热器，所述衬底加热器位于超高真空反应腔中部；所述衬底托板架与衬底加热器相对设置；所述分子束源炉通过分子束源炉接口连接到超高真空反应腔的下部，其中分子束源∞炉接口与所述衬底托板架倾斜相对；所述㊣ 分子束源炉包括氧化钼分子束源炉和硫分子束源炉。采用本装置可实现分子束外延技术可控生长二硫化钼薄膜，且生长的二硫化钼薄膜结构规则，表面平整。
- 专利类型实用新型
- 申请人厦门烯成新材料科技有限公司;
- 发明人王振中;
- 地址361015 福建省厦门市☉火炬高新区创业园伟业楼南楼S301C室
- 申请号CN201520310719.5
- 申请时间2015年05月14日
- 申请公布号CN204644499U
- 申请公∴布时间2015年09月16日
- 分类号C30B25/02(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;
