摘要：本发明公开了一种█高导电性氟化石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将石墨烯薄膜放入真空管式炉，并保持真空管式炉温度为200℃；向所述真空管式炉通入氩气，氩气流量为2000sccm；通入1至10sccm预处理的氟化氙蒸汽1至10min；通入氩气至一个大气压，并将真空管式炉降温至々室温，取出形成的高√导电性氟化石墨烯薄膜产品。本发明所述的制备方法，通过将石墨烯薄膜放入真空管式炉并保温在200℃；向所述真空管式≡炉通入氩气作为保护气氛；然后，通入预处理过的氟↘化氙蒸汽并保持一定时间，使其与石墨烯薄膜进行反应；通入氩气至一个大气压，并将真空管式炉降温╳至室温，取出形成的高导电性氟化石墨烯薄膜产品。
- 专利类型发明专利
- 申请人厦门烯成新材料科技有限公司;
- 发明人刘长江;连榕;
- 地址361000 福建省厦门市火炬高新区创╱业园伟业楼南楼S301C室
- 申请号CN201310242702.6
- 申请时间2013年06月19日
- 申请公布号CN103350992A
- 申请公布♂时间2013年10月16日
- 分类号C01B31/00(2006.01)I;
