摘要：本实用新型涉及一种下降法生长单晶体用的真空石英坩埚，在所述真空石英坩埚内部衬有一个石墨坩埚，所述石墨坩埚的底部与所述真空石英坩埚的底部完全接触，所述石墨坩埚的外侧壁与所述真空石英坩埚的内侧壁之间的空隙在0.4mm～0.6mm之间。本加衬真空石英坩埚不需要较复杂的工艺控制即可制造完成，在使用过程中石墨坩埚与晶体不粘连，晶体不碎裂，坩埚可多次重复使用，适用于生长大尺寸的单晶体。
- 专利类型实用新型
- 申请人北京滨松光子技术股份有限公司;
- 发明人张红武;黄朝恩;
- 地址100070北京市丰台区南四环西路188号11区18号楼
- 申请号CN200920106747.X
- 申请时间2009年04月08日
- 申请公布∴号CN201428006Y
- 申请¤公布时间2010年03月24日
- 分类号C30B11/00(2006.01)I;
