摘要：本发明公开了一种太阳能电池硅片背面抛光及边缘刻蚀方法，包括以下步骤：A、腐蚀掩膜保护层；B、腐蚀扩散层及抛光；C、清洗。本发明与现有技术相比的优点是：本发明采用掩膜保护扩散面，浸入式腐蚀，保证了良好的边缘刻蚀效果。保护层利用扩散自然形成的磷硅玻璃(或硼硅玻璃)，无需额外增加掩膜制备工艺，不增加任何成本。同步实现背面化学抛光效果，使太阳电池※片效率得到可观提升，背面抛光工艺结合背面钝化技术，前景广阔。对设备机械←精度容忍度很高，节约了设备〇制造成本，同时工艺稳定，容易控制。本发→明适用性广，N型P型太阳电池均适用。
- 专利类型发明专利
- 申请人苏州晶洲装备科技有限公司;
- 发明人蒋新;郑晔;
- 地址215500 江苏省常熟市辛庄镇光华环路32号
- 申请号CN201310096924.1
- 申请时间2013年03月25日
- 申请公布号CN104078527A
- 申请公布时间2014年10月01日
- 分类号H01L31/18(2006.01)I;
