摘要：本发明涉及一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉，包括基体材料层以及分别生长在基体材料层上下表面的上金属层和下金属层，所述上金属层由绝缘隔离槽分离成各自独立的第一正极电极、第二正极电极和负极电极，且所述第一正极电极用于给半导体激光器的脊形波导区提供工作时所需的电信号，所述第二正极电极用于给半导体激光器的锥形增益区提供工作时所需的电信号，所述负极电极连接半导体激光器的n面电极。本发明易实现带p电极分离结构的半导体激光器的p面向下封装，在使分离的p电极能独立注入电信号的同时，增强了半导体激光器的散热能力，延长了半导体激光器的寿命，还使器件易于与系统集成。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京牡』丹电子集团有限责任公司;
- 发明人李刚;张松;崔碧峰;徐旭红;赵瑞;计伟;
- 地址100191 北京市海淀区花园路2号
- 申请号CN201410119889.5
- 申请时间2014年03月27日
- 申请公布号CN103887704B
- 申请公布时间2016年06月01日
- 分类号H01S5/024(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;
