幸运pk10

  • <tr id='Qqy4Mu'><strong id='Qqy4Mu'></strong><small id='Qqy4Mu'></small><button id='Qqy4Mu'></button><li id='Qqy4Mu'><noscript id='Qqy4Mu'><big id='Qqy4Mu'></big><dt id='Qqy4Mu'></dt></noscript></li></tr><ol id='Qqy4Mu'><option id='Qqy4Mu'><table id='Qqy4Mu'><blockquote id='Qqy4Mu'><tbody id='Qqy4Mu'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='Qqy4Mu'></u><kbd id='Qqy4Mu'><kbd id='Qqy4Mu'></kbd></kbd>

    <code id='Qqy4Mu'><strong id='Qqy4Mu'></strong></code>

    <fieldset id='Qqy4Mu'></fieldset>
          <span id='Qqy4Mu'></span>

              <ins id='Qqy4Mu'></ins>
              <acronym id='Qqy4Mu'><em id='Qqy4Mu'></em><td id='Qqy4Mu'><div id='Qqy4Mu'></div></td></acronym><address id='Qqy4Mu'><big id='Qqy4Mu'><big id='Qqy4Mu'></big><legend id='Qqy4Mu'></legend></big></address>

              <i id='Qqy4Mu'><div id='Qqy4Mu'><ins id='Qqy4Mu'></ins></div></i>
              <i id='Qqy4Mu'></i>
            1. <dl id='Qqy4Mu'></dl>
              1. <blockquote id='Qqy4Mu'><q id='Qqy4Mu'><noscript id='Qqy4Mu'></noscript><dt id='Qqy4Mu'></dt></q></blockquote><noframes id='Qqy4Mu'><i id='Qqy4Mu'></i>
              2. 首页
              3. 装备资讯
              4. 热点专题
              5. 人物访谈
              6. 政府采购
              7. 产品库
              8. 求购库
              9. 企业库
              10. 品牌排行
              11. 院校库
              12. 案例·技术
              13. 会展信息
              14. 教育装备采购∑ 网首页 > 知识产权 > 专利 > CN103887703A

                一种带石墨烯层的半导体激光器热沉及其制作方法

                  摘要:本发明涉及一种带石墨烯层的半导体激光器热沉,包括从下●至上依次沉积的基体材料层、无氧铜层和石墨烯层,所述基体材料层采用的材料是氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅或氮化硼中的任意一种。本发明还对应给出了制作所述热沉的方法。本发明采用石墨烯层作为热沉的散热材料,充分利用石墨烯热导率高的物理特性,将半导◤体激光器工作时产生的热量传导出来并发散掉,能够在不增加半导体▓激光器重量、体积的情卐况下,大幅提高半导体激光器的散热能力,降低半导体激光器工作时的温度,保证半导体激光□ 器的光电性能和可靠性,延长半导体激光器的寿命。
                • 专利类型发明专利
                • 申请人北京牡丹电子集团有限责任公司;
                • 发明人李刚;张松;崔碧峰;徐旭红;赵瑞;计伟;
                • 地址100191 北京市海◎淀区花园路2号
                • 申请号CN201410119425.4
                • 申请时间2014年03月27日
                • 申请公布号CN103887703A
                • 申请公布时间2014年06月25日
                • 分类号H01S5/024(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;