摘要：本发明提供一种半导体生产工艺中激光退火技术范围内的一种采ξ用激光辅助加热的激光退火方法及装置，该方法主要是采取两台激光器，一台激光器用于激光辅助加热，是半导体表面活化，为激光退〒火做准备工作；一台激光器用于为半导体进行激光退火。两☆束激光经过相关光学系统后同轴输出，照射到扫描镜上。扫描光学系统被装配在精密机械组件上由电动控制。电动控制系统采用检流计控制结构，当输入电压为-10V至+10V时，机械结构会对应偏转-20°至+20°，从而可以使对输入╱电压的控制转化为对机械结构转动角度的精确控制。光学镜片被固定在机械结构上，通过控制扫描光学系统的旋转角度来调节激光光束的照射位置。从而』实现了激光光束在水平方向和竖直方向上的扫描。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京中科思远光电科技有限公司;
- 发明人彭海波;彭俊;刘全力;
- 地址100193 北京市海淀区东北旺南路26号院内2号楼2层
- 申请号CN201110356480.1
- 申请时间2011年11月11日
- 申请公布号CN102489876B
- 申请公布时间2014年06月25日
- 分类号B23K26/064(2014.01)I;B23K26/082(2014.01)I;B23K26/70(2014.01)I;H01L21/268(2006.01)I;
