摘要：本发明涉及一种中心频率可调的超高频RFID读写器中的低噪声放大器，通过在输入端采用二阶交调电流注入结构以提高线性度；而在』输出端采用开关电容的结构实现中心工作频率可调。二阶交调电流注入结构是通过对MOS管的非线性特性进行分析，然后得出◆使三阶交调电流值为0时的注入电流值；在输出端，采用MOS管与电容的连接方式组成开关电容对，当MOS管导通时，电容被接入，当MOS截至时，电容断开，也即通过MOS的导通与断开实现了在输出端电容值的改变。根据![]()
可知，当电感值L不变，而电容值C改变时，中心工作频率也会随着电容值C的改※变而改变，这就实现了低噪声放大器的中心工作频率可调。本发明提出的混频器的工作电■压为1.2V，功耗低，符合低电压低功耗的要求，简化电路结构、降低功耗以及扩展中心工作频ㄨ率点等方面有很大的指导∏意义。
- 专利类型发明专利
- 申请人湖南大学;
- 发明人王春华;汪飞;袁超;郭胜强;许静;张秋晶;何海珍;郭小蓉;易波;
- 地址410082 湖南省Ψ长沙市岳麓区湖南大学
- 申请号CN200910227018.4
- 申请时间2009年11月25日
- 申请公布号CN101895261A
- 申请公布时↘间2010年11月24日
- 分类号H03F3/189(2006.01)I;H03F1/26(2006.01)I;
