摘要：本发明公开了一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，用于对玻璃钝化硅晶圆进行切割，该方法包括有如下步骤：在玻璃钝化硅晶圆背面制作与玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽位置一一对应的◥定位切割道，使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割，以及╳分离芯片晶粒。借由本发明中的背面激光切割方法，可以提高玻璃钝化硅晶圆器件的电学性能，并且切割速度快，无崩碎现象。
- 专利类型发明专利
- 申请人武汉华工激光工程有限责任公司;
- 发明人李轶;赵宇;闵大勇;卢飞星;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园华工科技激光产业园
- 申请号CN200910162147.X
- 申请时间2009年08月05日
- 申请∑公布号CN101621026B
- 申△请公布时间2011年06月08日
- 分类号H01L21/78(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B23K26/38(2006.01)I;
