摘要：本发明公开了一种玻璃钝∏化硅晶圆的背面激光切割方法，用于对玻璃钝化硅晶圆进行切割，该方法包括有如下步骤：在玻璃钝化硅晶圆背面制作与玻璃钝化硅晶圆正面的①沟槽位置一一对应的定位切割道，使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割，以及∴分离芯片晶粒。借由本发明中的背面激光切割方法，可以提高玻璃钝化硅晶圆器件的电学性能，并且切割速度快，无崩碎现象。
- 专利类型发明专利
- 申请人武汉华工激光工程有限责任公司;
- 发明人李轶;赵宇;闵大勇;卢飞星;
- 地址430223湖北省武汉市东☆湖高新技术开发区华中科技大学科技▼园华工科技激光产业园
- 申请号CN200910162147.X
- 申请时间2009年08月05日
- 申〖请公布号CN101621026A
- 申请公布时间2010年01月06日
- 分类号H01L21/78(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B23K26/38(2006.01)I;
