摘要：本发明公开了一种硅基薄膜太■阳能电池及其制作方法。主要包括：(1)沉积于透明ㄨ导电玻璃衬底上的P型非晶硅薄膜；(2)和P型非晶硅薄膜连接的N型微米颗粒〇硅和透明氧化物的复合薄膜，(3)和N型复合硅薄膜接触的银或铝背电极。本发◎明提出的核心工艺为：1)按硅质量百分比为30～90％的比例，混合高纯N型导电类型的硅粉和无机氧化物纳米晶、胶体得到复合浆料；2)采用喷涂、印刷等成膜工艺结合退火处理在P型非晶硅层上沉积♀一层厚度为5-50微米的N型颗粒硅复合膜层。本发明◥引入了多晶硅/非晶♀硅异质PN结技术，同时采用颗粒多晶硅复合膜，避免了∮大粒径多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，具有成本低ㄨ廉，工艺简单且光电转换效率高等∮优势。
- 专利类型发明专利
- 申请人湖南大学;
- 发明人万青;赵斌;周棋;易宗凤;
- 地址410082 湖南省长沙市河西麓山南路2号
- 申请号CN200910042742.X
- 申请时间2009年02月27日
- 申请公布№号CN101488531B
- 申请公布时间2010年12月08日
- 分类号H01L31/042(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;
