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                高纯锗探测器无源效率刻度的方法
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明涉及一种高纯锗探测器无源效率刻度的方法。该方法可以自动、快速、准确地确定高纯锗晶体及其灵敏区尺寸，然后利用蒙特卡罗方法直接进行模拟计算，从而快速︻实现高纯锗探测器无源效率刻度。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人中国辐射防护研究院;
                  • 
                        
                • 发明人马吉增;刘立业;潘红娟;候海权;张斌全;张勇;杨绍文;
                  • 
                        
                • 地址030006山西▲省太原市120信箱
                  • 
                        
                • 申请号CN200610065054.1
                  • 
                        
                • 申请时间2006年03月17日
                  • 
                        
                • 申请公布▂号CN101038261A
                  • 
                        
                • 申请公布时间2007年09月19日
                  • 
                        
                • 分类号G01N23/00(2006.01);G01T1/00(2006.01);G06F19/00(2006.01);
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