摘要：本发明属于辐射测量技术领域，具体为一种高纯锗、碲化锌镉等辐射测量探测器的效率刻度方法。该方法不需『要准确获得晶体尺寸及灵敏区尺寸，而仅需依据探测器说明书上粗略给出的晶体尺寸，在蒙特卡罗直接计算基础上结合效率传递因子，可快速、准确地实现探测器的无源效率刻度。
- 专利类型发明专利
- 申请人中国辐射防护研究院;
- 发明人刘立业;马吉增;张斌全;潘红娟;金月如;张勇;任泽仲;
- 地址030006山西省太原市学府街270号
- 申请号CN200510112535.9
- 申请时间2005年10月10日
- 申请公布号CN100399051C
- 申请公布时∩间2008年07月02日
- 分类号G01T1/24(2006.01);
