近日，德国ScIDre公司推出的HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉在中国科学院物理研究所怀柔园区材料基因组研究平台顺利完成安装调试。HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃甚至更高的生长温度，晶体生长腔↑至大压力可达300 bar，至低可实现10-5 mbar的高真空，适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。
ScIDre单晶炉技术特点：
? 采用〖垂直式光路设计
? 采用高照度氙灯，多种功率规格可选
? 熔区温度：至高可达3000℃
? 熔区压力：10 bar/50 bar/100 bar/150 bar/300 bar等多种规格可选
? 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选
? 采用光阑控制技术，加热功率从零到百分之百连续可调※
? 样品腔可实现□ 至低10-5 mbar真空环境
? 丰富的可升级选件
中国科学院物理研究所除了聚焦基础ζ前沿问题，扎根中关村科研攻关外，还积极响应我国科技战略布局，投入北京科创中心怀柔科『学城、粤港澳大湾区科创中心松山湖材料实验室以及长三角物理研⊙究中心的建设。Quantum Design中国非常荣幸●将德国ScIDre公司推出的HKZ高温高压光学浮区法单晶炉安装于该平台，该系统将为用户单位在氧化物晶体生长及各种新材料探索等诸领域的科研工作提供相关单晶样品制备支持！
德国ScIDre公司的HKZ系列高温高压①光学浮区法单晶炉外观图：
系统内部结构实物图：
参考信息来源『：
