单晶材料对于研究新材料物理性能起着至关重要的作用。目前人们已掌握了多种晶体生长技术，其中，浮区法晶体生长技术近几年发展最为迅速和显著，因为该技术不仅可以用于探索合成新材料，而且还可以实现高价态过渡金属化合物的单晶生长，这些极为利于探索非常规电子关联及磁性等相关机理研究。
第三届浮区技术研讨会旨在加强晶体生长领域的专家和学者之间的密切联系，分享经验并交流探讨当前浮区技术的发展方向。第一届及第二届浮区技术ζ研讨会(2013年, 2016年)在德国德累斯顿IFW举办，本年度的第三届浮区技术研讨会将于2019年9月16-18日在历史名城牛津举行, 由牛津大学奥瑞尔学院和德国SciDre公司联合举办。
德国SciDre公司成立于2009年，是德国德累☆斯顿莱布尼茨固体与材料研究所（IFW Dresden）的一个分支机构。其独特的HKZ系列高温高压浮区法单晶炉最初由德累斯顿IFW开发，德国SciDre公司随』后优化了HKZ的设计方案并升级改造了控制系统。
一代HKZ单晶炉
（2009~2014年）
新一代HKZ高温高压光学浮区法单晶炉（2015年至今）
目前，德国SciDre推出的HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉最高可实现高达3000℃高温，最高压力可达300bar，多种规格可根据用户需求提供选择。该单晶生长系统备受国内广大科研工作者的青睐，目前已拥有众多用户，包括中国科学院物理研究所、中国科学院固体物㊣ 理研究所、北京师范大学、复旦大学、上海大学、南昌大学以及中山大学等。
