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                【动态】剑桥大学举办新型时间分辨阴□极荧光测量系统Allalin Chronos安装交付仪式

                教育』装备采购网 2019-12-25 11:44 围观568次

                  2019年9月,剑桥大学Rachel Oliver教授及其团队聚集了来自英国科学和工业界的50多名研究人员,为其全新的时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos的顺利安装和交付使用举行了盛大的开幕式!

                  剑桥大学物理科学学院院长Lindsay Greer教授主持开幕仪式,并对这台设备获得的时间¤分辨阴极荧光结果和应用进行了许多深入而热烈的讨论,内容涵盖了从化合物半导体材料和器○件到钙钛矿和地质样品的各种材料。Rachel Oliver教授随后介绍了此设备的实用性,强调了此设备∏的顺利安装必将极大促进英国科学界在相关领域的研究,期待可以得到更多的创新性科研成果!

                【动态】剑桥大学举办新■型时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos安装交付仪式

                【动态】剑桥大学举办新型◣时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos安装交付仪式

                开幕式ㄨ现场照片

                  这款先进的时间分辨阴极荧光测量系统是由瑞士attolight自主研发生产的,Attolight公司CEO Samuel Sonderegger博士应邀参加开幕式,并与到场科学家进行了深入的技术交流和沟通。

                  作为世界上唯一一♂款同时具备时间分辨和空间分辨的阴极荧光测量系统,attolight生产的Allalin Chronos具有如下的独特技术优势和应用特点:

                  ?  Allalin Chronos系统,可实现变温、时间分辨、纳米尺度分辨率的阴极荧光分析。在连续模式下,系统采用高电流密度的→肖特基场发射电子枪。在时间分辨模式下,相同的电子枪则为超快激光器所驱动,产生超短电子脉冲。系统独有的高效率定量CL收集系统,有效保障时间分辨阴极荧光光谱测试。

                  ?  激发激光器与探测器之【间精确同步,从而使皮秒级的时间分辨阴极荧光分析成为可能。脉冲模式与连续模式之】间的切换是自动化的,且仅需要几分钟,这使得系统能够成为完美的多用户设备,满足不同用户的研究需求和使用要求。

                  ?  Allalin Chronos是专为那些需要获取光谱动力学信息的研究者们而量身打造的,具有纳米级空间分辨↑率及皮秒级的时间▽分辨率。系统具有一整套超快探测器,探测波长覆盖紫外至近红外波段(200 nm~1700 nm),尽最大可能优化您的应用。

                  ?  该系统还可搭配超稳液氦恒温器使用,工作〖温度覆盖10 K至室温。Allalin Chronos的多功能设计也使它能够执行其他先进的表征测试,例如泵浦/探测♀光谱及动态SEM。

                  

                附1:基于时间分辨阴极荧光光谱的应用及部分实例

                  - 局域辐射和非辐射载流子寿命的测定

                  - 半导体异质结中载流子激发动力学的分析

                  - 先进∑ 的泵浦/探测光谱

                【动态】剑桥大学举办新型时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos安装交付仪式

                利用时间分辨CL分析弯曲状态下氧化锌微米带中的激子扩散行⊙为:沿微米带径向三个ㄨ不同激发区域的时间分辨荧光光谱。根据测试结∮果,可以建立并验证应力诱导的激子扩散模型。(ACS Nano, 8(4), 3412-3420, 2014)

                【动态】剑桥大学举办新型时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos安装交付仪式

                InGaN/GaN量子阱中局域载流子复合。(Applied Physics Letters 109, 232103 (2016))

                【动态】剑桥大学举办新型时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos安装交付仪式

                在氮化镓中围绕单一位错缺陷的CL强度与有效寿命。(Applied Physics Letters 109, 042101 (2016))

                【动态】剑桥大学举办新型时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos安装交付仪式

                单根InGaN/GaN核/壳微米柱的时间分辨CL衰减及CL成像结果。(Applied Physics Letters 112, 052106 (2018))

                  

                附2:Rachel Oliver教授利用Attolight阴极荧光光谱仪开╳展的部分研究工作及链接:

                  [1] T. J. Puchtler, A. Woolf, T. Zhu, D. Gachet, E. L. Hu, R. A. Oliver. Effect of Threading Dislocations on the Quality Factor of InGaN/GaN Microdisk Cavities. ACS Photonics, 2015, 2, 137-143.

                  (https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ph500426g)

                  [2] T. Zhu, D. Gachet, F. Tang, W. Y. Fu, F. Oehler, M. J. Kappers, P. Dawson, C. J. Humphreys, R. A. Oliver. Local carrier recombination and associated dynamics in m-plane InGaN/GaN quantum wells probed by picosecond cathodoluminescence. Appl. Phys. Lett., 2016, 109, 232103.

                  (https://doi.org/10.1063/1.4971366)

                  [3] C. J. Humphreys, F. C-P. Massabuau, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’Hanlon, A. Kovacs, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, R. A. Oliver. Atomic Resolution Imaging of Dislocations in AlGaN and the Efficiency of UV LEDs. Microsc. Microanal., 2018 ,4, 4-5.

                  (https://doi.org/10.1017/S143192761800051X)

                  [4] F. C-P. Massabuau, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’ Hanlon, A. Kovács, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, R. A. Oliver. Dislocations in AlGaN: Core Structure, Atom Segregation, and Optical Properties. Nano Lett., 2017, 17, 4846-4852.

                  (https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b01697)

                  [5] F. C-P. Massabuau, P. Chen, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’Hanlon, A. Kov′acs, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, R.A. Oliver. Alloy fluctuations at dislocations in III-Nitrides: identification and impact on optical properties. Proceedings Volume 10532, Gallium Nitride Materials and Devices XIII; 105320R (2018)

                  (https://doi.org/10.1117/12.2288211)

                  

                附3:部分国内专家学者利用Attolight阴极荧光光谱仪开展的研究工作及链接:

                  [1] X. Fu, G. Jacopin, M. Shahmohammadi, R. Liu, M. Benameur, J-D. Ganière, J. Feng, W. Guo, Z. Liao, B. Deveaud, D. Yu. Exciton Drift in Semiconductors under Uniform Strain Gradients: Application to Bent ZnO Microwires. ACS Nano, 2014, 8, 3412-3420.

                  (https://doi.org/10.1021/nn4062353)

                  [2] M. Shahmohammadi, G. Jacopin, X. Fu, J-D, Ganière, D. Yu, B. Deveaud. Exciton hopping probed by picosecond time-resolved cathodoluminescence. Appl. Phys. Lett., 2015, 107, 141101.

                  (https://doi.org/10.1063/1.4932098)

                  [3] Y. Song, L. Zhang, Y. Zeng, L. Qin, Y. Zhou, Y. Ning, L. Wang. Microscopic View of Defect Evolution in Thermal Treated AlGaInAs Quantum Well Revealed by Spatially Resolved Cathodoluminescence. Materials 2018, 11(6), 1049.

                  (https://doi.org/10.3390/ma11061049)

                  [4] X. Xie, B. Li, Z. Zhang, S. Wang, D. Shen. Controlled compensation via nonequilibrium electrons in ZnO. Sci. Rep., 2018, 8, 17020.

                  (DOI:10.1038/s41598-018-35178-w)

                  

                附4:相关产品

                        时间※分辨精细阴极荧光分析系统:/v2v8n5/product/20160315784.shtml

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