近日，复旦大学微电子学院张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非☆易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期，可谓◆是半导体行业的颠覆性技术。
据介绍，此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失特性，写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是∑内存技术的156倍。此技术将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域▂发挥重要作用。
近日，复旦大学微电子学院张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非☆易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期，可谓◆是半导体行业的颠覆性技术。
据介绍，此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失特性，写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是∑内存技术的156倍。此技术将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域▂发挥重要作用。
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