1分彩

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                半导体微纳线路刻蚀金属镀膜掩膜板光刻加工

                半导体微纳线路刻蚀金属镀膜掩膜板光刻加工
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                详细说明

                半导体微纳线路刻蚀金属镀膜掩膜板光刻加工

                  平台拥有光刻设备、薄膜沉积设备、刻蚀设备、表征『测试设备、器件后♀道封装设备以及自主研发的超滑◇实验设备等共计Ψ200余台套,其中主要设备40余台。基于已有设备,对外提供工艺整合、共同工艺开发等技术服务。

                  目前已整合的先进工艺包括:光刻(紫外光刻,激光直写,电子束光刻等)、镀膜(PVD、CVD、ALD等)刻蚀(ICP、RIE、IBE、湿法等)、键合、 CMP、表征测试、封装、材料制备+器件工艺+器件加工+材料测试/器件测试。

                  提供业内通用制造能力:硅通孔(TSV)和玻璃通孔(TGV)的加工,超滑器件加「工测试,超疏水实验,特色MEMS器件加工,微纳米光学、光电器件加工【、微流控及◣柔性电极加工及测试。

                  为了最好地实现,我们会先根据你的图纸进行评估,提供图纸修改建议,推荐合适的工艺与设备进行↓加工。此外,我司承诺将在交付完成后,销毁本地计算机中您的图纸文档ω记录,对客户隐私做到绝对保护。

                  为了保证交付质量,我们将提供成品质量报告(通常为光学检测报∞告)。但与此同时,我们额外提供成品的表面几何参数的测量※和机械特性测量。涵盖构件的三维尺寸、轮廓、膜厚、表面粗◆糙度、拉伸、传动特性、耐久性等测试。

                  实验室平台拥有设备等共计200余台,其中主要设备(40余台)包括:

                  ·图形■化设备

                  电子束曝光、激光直写、台式接触式光刻机、桌面式光刻机等

                  ·薄膜沉积设备

                  ICP-PECVD、LPCVD、磁控溅射、电子束蒸发□镀膜、PE-ALD、DLC薄膜沉积等、电镀 (Au、Ag、Cu、Ni、Sn等)

                  ·刻蚀设备

                  ICP—RIE、RIE、IBE、DRIE深硅刻蚀、XeF2表〗硅刻蚀机、HF气相刻蚀等干法刻蚀设备和满足体硅、介质膜、金属氧化∑ 物、金属等的湿法刻蚀设备以及相配套的二氧化碳超临界释放设备

                  ·表征和◎测试设备

                  AFM、台阶仪、Raman光谱、SEM、FIB、共聚焦显★微镜、白光干涉△仪、红外热成像仪、FEMTO—TOOLS微纳力学测试仪、超高速相机、3D多普勒激〗光测振仪、DC/RF探针台(60GHZ)、网络ω分析仪(60GHz)、半导体分析仪、阻々抗分析仪以及高精度电学原表等

                  ·器件后道封装设备

                  晶圆减薄、CMP抛光、晶圆键合、贴片机、划片机、打线机、固晶机、激光焊接机等团队自主研发的加工设备,封测设备。

                  平台技◣术能力

                  ·工艺整合及平台能力

                  —导电DLC膜层(超滑副,导电超硬膜层等)

                  —AIN/PZT薄膜工艺(压∴电驱动材料■)

                  —大尺寸高定向碳材料生长和器件加工工艺

                  —键合:阳极键合、玻璃焊料键合、共晶键合(AIGe)、扩散键合工艺

                  —气氛或真空ㄨ封装、Reseal

                  —研磨减薄和原子级抛光工艺

                  —硅基全湿法微纳加工工艺√—柔性衬底微纳器件加工

                  ·制造与封测能力

                  —硅通孔(TSV)玻璃通孔(TGV)

                  —压力/气体/红外/湿度〇传感器

                  —微流控芯片加工和相关测试

                  一超滑射频/惯性器件加工能力

                  —Die的全☆封装能力

                应用类别设备名称设备型号工艺参数
                镀膜低压力化学气相沉积(LPCVD)HORIS L6471-1可沉积SIN,TEOS,poly等薄

                膜 1-50片/炉

                热氧化炉管热氧化
                退火快速退火炉↓RTPAnnealsys AS-One 150最高温度到1500℃, 升温速率

                最大200℃/s

                FIB加工聚焦离子束 FIBThermo Fisher Scios 2 HiVac
                TEM样品制备
                SEM形貌观测场发射〗环境扫描电镜ESEMThermo Fisher Quattro S
                SEM能谱分析
                电子束蒸发镀膜-金属电子束蒸发FU-20PEB-950蒸镀金属薄膜、可做lift-off工艺镀膜、8寸基片向下兼♀容
                电子束蒸发镀膜-介质电子束蒸发FU-12PEB蒸镀介质薄膜◥一炉可镀10片四寸基片
                磁控溅射镀膜-金属磁控溅射系◎统FSE-BSLS-RD-6inch溅射金属薄膜、6寸基片
                原子层沉积等离子体∮增强原子层沉积系统ICPALD-S200当前以Al2O3为主
                DLC镀膜类金刚石薄膜化学沉积系统CNT-DLC-CL200
                干法刻蚀干法刻〗蚀机北方华创硅Bosch和超低温刻蚀、SiO2与石ㄨ英深刻蚀,8英以下
                IBE刻蚀离子∮束刻蚀系统(IBE)AE4三维结构◤材料刻蚀,刻蚀陡直度优于85度,刻蚀精度10nm
                等离子体去胶微波等离子体去胶◥机Alpha Plasma
                紫外光刻紫外光刻机SUSS MA6BA6GEN4对准精度:±0.5um,分辨率600nm
                电镀电镀机WPS-200MT镀Cu、镀Au、镀镍/镍合金
                临界干燥超临界点干燥仪Automegasamdri-915B
                划片切割机划片机Disco D323
                晶圆键合晶圆键合机SUSS MicroTec SB6Gen2阳极键合
                AFM测试高分辨原子力显微ㄨ镜Oxford Cypher ES
                原子力显微镜Park Systems NX20
                电子束光刻电子束光刻机Elionix ELS-F125G8不含匀胶等←费用,材料费根据用胶类型另计

                  我们提供快〇速MEMS器件 / 微纳米结构加工设计服务, 欢@ 迎留言咨询。咨询电话:400-877-0879

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