基于硅光电倍增器（SiPM）的正电子湮没寿命谱仪
产品简介
放射源发＠射出高能正电子射入物质中后，首先在极短时间内（约10-12ps以下）通过一系列非弹性碰撞减速，损失绝大部分能量至热能，这一过程称为注入与热化。热化后的正电子将在样品中进行无规扩散热运动，晶格中空位、位错等缺陷往往带有等效负电荷，由于库仑引力 正电子容易被这些缺陷捕获而停止扩散，并将在物质内部与电子发生湮没。从正电子射入物质到发生湮没所经历的时间一般称为正电子寿命。由于湮没〇是随机的，正电子湮没寿命只能从大量湮没事件统计得出。
性能特点
正电子湮没技术对材料的结构相变和原子▃尺度的缺陷极为敏感，已经成为研究物质微观结构和电子结构的无损☆的探测分析手段。正电子湮没作为微观分析技术一种，其主要研究范围在于针对原子尺寸的微结构和缺陷。与通〗常的微观结构分析如STM、SEM、TEM等技术相ξ 比，正电子湮没技术不仅可以提供缺陷的尺寸信息、相变信息，而且可以提供缺陷随深度分布的信息，能够深入的分析材料的电子结构以及正电子湮没处的化学环境等，弥补了其他微观探测技术的不足，具有不︼可替代性。
台式正电子湮没寿命谱仪
技术优势：
1.他对样品材料的种类几乎没有什么限制，可〓以是固体、液体或气体，可以是金←属、半导体、绝缘体或高分子材料，可以是单晶▅、多晶或液晶等，适用于凡是与材料的电╱子密度及动量有关的问题。
2.对样品温度没有限制，可以跨越〒材料的熔点或凝固点，而信息又是通过贯穿能力很强ㄨ的γ射线携带而来，因此可以对样品做高低温的动态原位测量，测量时卐可施加电场、磁场、高气压、真空等特殊环境。
3.研究样品中原子尺度的缺陷，如晶格中缺少一个或多个原子的缺陷，这些↙缺陷在电镜、X衍射中研究颇为困难。
4.简单使用，室温测量下的PAT制样方法
技术参数
1.采用SiPM设计，时间分辨∏率<=120ps
2.计数率>1000cps
3.自动能窗调节
4.高压漂移，自动修正
5.数据文件无需修改格式，可直♀接解谱
6.用户友好，使用方便
