实验室平台拥有设备等共计200余台，其中主要设备（40余台）包括：
·图形化设备
电子束曝光、激光直写、台式接触式光刻机、桌面式光刻机等
·薄膜沉积设备
ICP-PECVD、LPCVD、磁控溅射、电子束蒸发镀膜、PE-ALD、DLC薄膜沉积等、电镀 （Au、Ag、Cu、Ni、Sn等）
·刻蚀设备
ICP—RIE、RIE、IBE、DRIE深硅刻蚀、XeF2表硅刻蚀机ぷ、HF气相刻蚀等干法刻蚀设备和满足体硅、介质膜、金属氧化物、金属等的湿法刻蚀设备以及相配〗套的二氧化碳超临界释放设备
·表征和测试设备
AFM、台阶仪、Raman光谱、SEM、FIB、共聚焦显微镜、白光干＠ 涉仪、红外热成↓像仪、FEMTO—TOOLS微纳力学测试仪、超高■速相机、3D多普勒激光测振仪、DC／RF探针台（60GHZ）、网络分析仪（60GHz）、半导体分析仪、阻抗分析︻仪以及高精度电学原表等
·器件后道封装设备
晶圆减薄、CMP抛光、晶圆键合、贴片机、划片机、打线机、固晶机、激光焊接机等团队自主研发的加工设备，封测设备。
平台技术能■力
·工艺整合及平台能力
—导电DLC膜层（超滑副，导电超硬膜层等）
—AIN／PZT薄膜工艺（压电驱动材料）
—大尺寸高定向碳材料生长和器件加工工艺
—键合：阳极键合、玻璃焊料≡键合、共晶键合（AIGe）、扩散键合工艺
—气氛或真▲空封装、Reseal
—研磨减薄和原子级抛光工艺
—硅基全湿法微纳加工工艺—柔性→衬底微纳器件加工
·制造与封测能力
—硅通孔（TSV）玻璃通孔（TGV）
—压力／气体／红外／湿度传感器
—微流控芯片加工和相关测试
一＠超滑射频／惯性器件加工能力
—Die的全封装能力
| 应用类别 | 设备名称 | 设备型号 | 工艺参数 |
| 镀膜 | 低压力化学气相沉积(LPCVD) | HORIS L6471-1 | 可沉积SIN，TEOS，poly等薄 膜 1-50片/炉 |
| 热氧化 | 炉≡管热氧化 | ||
| 退火 | 快速退火炉RTP | Annealsys AS-One 150 | 最高温度到1500℃, 升温速率 最大200℃/s |
| FIB加工 | 聚焦离子束 FIB | Thermo Fisher Scios 2 HiVac | |
| TEM样品制备 | |||
| SEM形貌观测 | 场发射环♀境扫描电镜ESEM | Thermo Fisher Quattro S | |
| SEM能谱分析 | |||
| 电子束蒸发镀膜-金属 | 电子束蒸发 | FU-20PEB-950 | 蒸镀金□属薄膜、可做lift-off工艺镀膜、8寸基片︻向下兼容 |
| 电子束蒸发镀膜-介质 | 电子束蒸发 | FU-12PEB | 蒸∮镀介质薄膜一炉可镀10片四寸基片 |
| 磁控溅射镀膜-金属 | 磁控溅射系统 | FSE-BSLS-RD-6inch | 溅♂射金属薄膜、6寸基片 |
| 原子层沉积 | 等离子体增强原子层沉积系统 | ICPALD-S200 | 当前以Al2O3为主 |
| DLC镀膜 | 类金刚石薄膜化学沉积系统 | CNT-DLC-CL200 | |
| 干法刻蚀 | 干法刻蚀机 | 北方华创 | 硅Bosch和超低温▽刻蚀、SiO2与石』英深刻蚀，8英以下 |
| IBE刻蚀 | 离子束刻蚀系统(IBE) | AE4 | 三维结构材料刻蚀，刻蚀陡直度优于85度，刻蚀精度10nm |
| 等离子体去胶 | 微波等离子体去胶机 | Alpha Plasma | |
| 紫外光刻 | 紫外光刻机 | SUSS MA6BA6GEN4 | 对准精度：±0.5um，分辨率600nm |
| 电镀 | 电镀机 | WPS-200MT | 镀Cu、镀Au、镀镍/镍合金 |
| 临界干燥 | 超临界点干燥∮仪 | Automegasamdri-915B | |
| 划片 | 切割机划片机 | Disco D323 | |
| 晶圆键合 | 晶圆键合机 | SUSS MicroTec SB6Gen2 | 阳极键合 |
| AFM测试 | 高分辨原子力显微镜 | Oxford Cypher ES | |
| 原子力显微镜 | Park Systems NX20 | ||
| 电子束光刻 | 电子束光刻机 | Elionix ELS-F125G8 | 不含匀胶等费用，材料费根据用胶类型另计 |
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