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                电子束∩吸收电流分析系统EBAC-RCI

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                详细说明

                  尚丰科技向用户提供专业的的电子束吸收电流分析系统EBAC/RCI

                  EBAC-RCI原理EBAC/RCI电子束吸收电流分析系统,能够方便快速的定位半导体芯片电路中的短路及失效点位置,不但可以对同层电路,而且可以对次表层,甚至表层下第三层、第四层电路进行失效点的精准定位,因此能够对半导体芯片电路或相关材料进行快速准确的失效分析。

                  目前,集成电路芯片设计越来越复杂,关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束又到电阻变化鞥,由于其分辨率不足,导致不能精确地定位电路故障点位置,电压衬度方法虽然在一些开路短路失效分析中能快速地定位失效点,但只〓是局限于电路同层分析。

                  

                EBAC/RCI电子束吸收电流分析系统是基于扫描电镜的分析系统,在保留扫描电镜高分辨率的前提下,能够对同层芯片电路进行高精准定位,同时能够对次表层甚至表面下第三、第四层电路进行失效点定位,因此越来越多的应用于先进制程芯片的失效分析。在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC/RCI方法更加简便精确,可保证分析的成功率,并缩短分析周期。


                  EBAC/RCI acquisitionThe lowest noise Electron Beam Absorbed Current (EBAC)and Resistive Contrast Imaging (RCI)

                  Find exact location of any open,resistive or shorting defect

                • Localize metal line cuts caused by cracking,corrosion, electro-migration, or foreign particles

                • Identify resistive opens caused by interface contamination at via interconnects

                • Pinpoint location for direct TEM lamella FIB preparation 

                  Characterize interconnects with highest resolution

                • Reveal electrical integrity of nets with sub-mciron lateral resolution and bridge from EFA to PFA

                • Diagnose fabrication and long term issues, including contamination,metal pattering defects, resistive interconnectors, or electro-migration

                • Directly isolate defects to the exact layer and die location, and improve them to product improvement actions

                  Verify device operation modes with built-in biasing for voltage contrast

                • Image bias/voltage contrast in delayered devices

                • Monitor operation of devices under bias

                • Compare imaged behaviour with device design

                  Localize defects in thin dielectric layers

                • Visualise and localise weaknesses in gate oxide (GOX) and capacitor oxide (COX) before breakdown

                • Pinpoint oxides shorts caused by ESD or EOS with sub-micron resolution

                • Preserve the original defect signature with power dissipation in the lower nW range during localization

                  Access failures invisible in voltage contrast

                • Find low resistances that allow charge tunneling trough the interconnects

                • Investigate structures in contact with the silicon substrate

                • Characterize large metal structures

                  尚丰科技致力于引进推广先进的材料、生物显微观测及微区分析仪器,向科研人员提供高附加值服务。我们拥有一支涉及众多领域高素质的应用支持团队,为各行业的应用需求提→供专业的解决方案和售后服务。


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