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                EBIC电子束感生电流系统

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                详细说明

                EBIC电子束感应电流分析系统

                添加时间:2022-02-28 15:03:00

                  裕隆时代向用户提供专业的的电子束感应电流分析系统EBICEBIC电子束感应电流分析系统是一种基于扫描电子显微镜(SEM)的图像采集及分析系统,主要用于半导体器件及其他材料的失效及结构分析。

                  它通过分析电子束照射样品时在样品内产生』的电流信号,以图像方式直观表征出样品特征、样品中P-N结位置、失效区域,并可以突出显示Ψ 样品的非同质性区域,从而对样品进◤行全面分析。

                  EBIC原理

                  当扫描电镜电子束作用于半导体器件时,如果电子束穿透半导体表面,电子束⊙电子与器件材料晶格作用将产生电子与空穴。这些电子和空穴将能较为自由地运动,但如果该位置没有电场作用,它们将很快复合湮灭(发射阴极荧光),若该位置有电场作用(如晶体管或○集成电路中的pn结),这些电子与空穴在电场作用下将相互分离。故一旦在pn结的耗尽层或其附近位置产生电子空穴对,空穴将向p型侧移动,电子将向n型侧移动,这样将有一灵敏放大器可检测到的电流通过结区。该电流即为电子束感生电流(EBIC)[1~3]。由于pn结※的耗尽层有多的多余载流子,故在电场作用下的电子空穴分离会产生较大的电流值,而在其它的地方电流大小将受到扩散长度和扩散寿命的限制,故利用EBIC进行成像可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究。 

                  EBIC应用领域包括但不限于:

                  1)材料晶格缺陷探测分析,缺陷以黑点和黑线标识出来;

                  2)P-N结缺陷区域定位;

                  3)双极电路中导致集电极-发射极漏电电流的收集管路的探测;

                  4)探测额外连接或者多层掺杂;

                  5)确定@静电放电/电过载(ESD/EOS)导致的失效位置;

                  6)测量减压层/耗尽层(depletion layer)宽度和少数载流子扩散长度和时@ 间(minority carrier diffusion lengths/lifetimes)

                  等等。

                  EBIC图像对于电子-空穴的重新组合非常敏感,因此EBIC技术能够非常有效的对半导体材料缺陷等进行失效分析。

                  EBIC acquisitionThe best quantitative electronics and  Software for Electron Beam Induced Current (EBIC)

                  Correlate topography,composition and structure with elecrical activity

                • Record simultaneous EBIC, SE, BSE and EDS signals

                • Colour and mix signals for spatial correlation

                • Distinguish between active and passive defects

                  Enable TEM or atom probe microscopy sample preparation

                • Localise defects with sufficient resolution for TEM sample preparation

                • Avoid alignment error by directly imaging defects with EBIC in FIB SEM

                • Use live EBIC imaging to stop ion milling for sample preparation

                  Verify device operation modes with built-in DC biasing and live overlay

                • Image junctions and fields in delayered devices

                • Map electrical activity of solar cells under bias

                • Compare imaged behaviour with device modelling

                  Map junctions defects with the highest possible resolution

                • Correlate structural defects with electrical activity

                • Map active areas of junctions and electrical fields

                • Validate doping profiles and areas

                  Access third dimension with depth profiling

                • Manipulate depth of EBIC signal by changing kV in SEM

                • Investigate EBIC images of cross-sections in FIB-SEM

                • Export EBIC depth series for 3D reconstruction

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