介电常数仪/介电常数测试仪
介电常数和介∏质损耗测试仪由Q表、测试装置，电感器及标准ㄨ介质样品组成，能对绝缘材料进行高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)的测试。它符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。
介电常数和介质损耗测试仪工作频率范围是100kHz～100MHz,它能∑完成工作频率内材料的高频介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。
本仪器中测试装↘置是由平板电容器组成，平板电容器一般用来夹被测样品，配用Q表作为指示仪器。绝缘材料的损□ 耗角正切值是通过被测样品放入平板电容器和不放样品的Q值变化和厚度的刻度读数通过公式计算得到。使用WY2852A或WY2853A数字Q表具有自动计算介电常数（ε）和介质损耗（tanδ）。
特点：
◎ 本公司创⌒ 新的自动Q值保持技术，使测Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能对固体ζ 绝缘材料在100kHz～100MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。
◎ 调谐回路残余电感值低至8nH，保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。
◎ 特制TFT彩屏菜单式显示多参数：介电常数(ε),介质损耗角(tanδ),Q值，测试频率，调谐状态和调谐电容值等。
◎ Q值量程自动/手动量☆程控制。
◎ DPLL合成发生1kHz～70MHz（WY2852A/D）,50kHz～160MHz（WY2853A/D）测试信号。独立●信号源输出口，所以本机又是一台合成信号源。
◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。
2 主要技术指标：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固体绝缘材料测∮试频率100kHz～100MHz的tan δ 和 ε 变化的测试。
2.1.2 tan δ 和 ε 测量范围：
tan δ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tan δ 和 ε 测量精度（1MHz）：
tan δ：±5%±0.00005，ε：±2%
介质损○耗装置：
2.3.1 平板电容器极片尺寸：
WY916D:Φ38mm和Φ50mm二种.
WY915:Φ38mm .
2.3.2 平板电容器间距可调范围和分辨率：
WY916D:0～8mm±0.001mm
WY915:0～8mm±0.01mm
2.3.3 圆筒电容器线性：
0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圆筒电容器可调范围：
±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 装ω置插头间距：
25mm±0.1mm
2.3.6 装置损耗角正切值:
≤2.5×10-4
介电常数仪/介电常数测试仪
介电常数仪/介电常数测试仪
电桥工々作原理
BQS-37a型︽高压电桥采用典型的西林电桥线路。C4桥臂在基本量程时，与R4桥臂并联，测量数值为正损◇耗因数。结构采用了双层屏蔽。并通过辅桥的辅∮助平衡，消除寄生参数对电桥平衡的影响。辅桥由电位自动电位跟踪器与内层屏蔽（S）组成。自动跟踪器由电子元器件组成。它在桥顶B处取一输入电压，通过放大后，在内屏蔽（S）产生一个ぷ与B电位相等的♀电压。当电桥在平衡时，A,B,S三点电位必然相等，从而达到自动跟踪的目的。本╳电桥在平衡过程中，辅桥采用自动电位跟踪，在主桥平衡过程的同时，辅桥也自动跟踪始终处于平衡的状态，用户只要对主桥平衡进行操作就能得到可靠的所需数据。同时也有效的抑制了电压波动对平衡所带来的影响。在指★零部分，采用了指针式电表指示，视觉直观，分辨清楚，克服了以往振动式检流计的缺点。
3-3 公式说明
频率对介质损耗正公式：
本电桥额定的工作频率f=50Hz，在实际工作频率偏离额定频率时◥可用修正式进行▆修正：
tg=f’·tgδ / f
式中：f 为额定工作频率（f=50Hz）
f’ 为※实际工作频率
tgδ 电桥测得损耗值
tgδ 为被测试品╳介质损耗角正切的实际值
四、安全操作规程▼
本仪器必须有专人负责保管，使用，非专职操作者应在使用前了解和熟悉本说明书，以免造成不必要的损失和事故。
每次使用前＠ 应仔细检查接地线是否完好，确保以后↘方可通电使用。
接通电源前应将灵敏度开关调到最低位置。
测量试品前应先对试品进行高压试◣验，证明在电桥工作电压下无噪▅声，电离等现象出现』，然后才能进行▓测试（若试品己做过高①压试验，该项可不必每次测量都做）。
对试品施加高压时缓慢升高，不可以加突变电压。
测试时操作人员必须集中思想，工作前」做好一切准备工作，测试地点周围应有明显的标记或㊣金属屏蔽围成高压危险区，以防止非操作人员闯入。
在测量过╲程中，如有放电管发光时，则必须及时切断电源，仔细检查№接线及试品都无击穿，待检查排除故障后⌒，再进行高压测①量工作。
介电常数仪/介电常数测试仪
介电常数介质损耗测】试仪是根据GB/T 1409《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的试验方法》（等效采用IEC 60250）设计和制造的，并符合JB 7770等试验方法。
介电常数介质损耗测试仪的创新←设计，无疑为高频元器件的阻抗测量提供了完美的解决方案，它给从事高频电子ω 设计的工程师、科研人员、高校实验室和电子制▽造业提供了更为方便的检测工具，测量※值更为精确，测量效率更高。使用者能在仪器给出的任何频率、任意点调谐电容值下检测器件的品质，无须关注量程和换算单位。
介电常数介质损耗测试仪作为□新一代的通用、多用途、多量程的阻抗⊙测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz。采用了多项优秀技术：
1. 双扫』描技术 - 测试频︻率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功ζ能。
2. 双测试要素输︾入 - 测试频率及调谐电容★值皆可通过数字按○键输入。
3. 双数码化调谐 - 数码化∑频率调谐，数码∩化电容调谐。
4. 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。
5. 全参数液晶显示 – 数字显示主●调电容、电感、 Q 值、信号源〒频率、谐振指针。
6. DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确︾、幅度的高稳定。
7. 计算机自动修正技术和测试回ζ 路优化 —使测试々回路 残余电感减至低，治疗 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。
介电常数介质损耗测试仪技术参数
Q 值测量范围： 2～1023 ， 量程分档： 30、100、300、1000，自动换◣档或手动换档
固有误差≤5％±满度值的2 ％（200kHz～10MHz），≤6％±满度值的2％（10MHz～160MHz）
工作误差≤7％±满度值的2％（200kHz～10MHz），≤8％±满度值的2％（10MHz～160MHz）
电感☆测量范围： 4.5nH ～ 140mH
电容直接测量范围：1 ～ 200pF
主电容调节范围： 18 ～ 220pF
主电容调节准确度：120pF以下±1.2pF ； 120pF以上±1％
信号源频率々覆盖范围： 100kHz～160MHz
频率分段（虚拟）： 100～999.999kHz ， 1～9.99999MHz,10～99.9999MHz， 100～160MHz
频率指示误差： 3×10-5±1个字
介电常数仪/介电常数测试仪
相关介绍
介电常数又称电容率或相对电¤容率，是表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据，常用ε表示。 介质在外加电场时会产生感应◣电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与终介质中电场比值即为介电常数。其表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力，例如一个电容板中充入介电常数〓为ε的物⊙质后可使其电容变大ε倍。介电常数愈小绝缘性Ψ愈好。如果有高介电常数◤的材料放在电场中，场的强度☆会在电介质内有可观的下降。介电常数还用来表々示介质的极化程度，宏观的介电常数的大小，反应了微观的极化现象的强弱。气体电介质的极化现象比较弱，各种气体的相对介电常数都接近1，液体、固体的介电常数则各不相同，而且介电常数还与温度、电源频率有↘关。
一些物质介电常数具有复数形式，其实部即为介电常数，虚数部分常△称为耗散因数。
通常将耗散因数◥与介电常数之比称作耗散角正切，其可←表示材料与微波的耦合能力，耗散角正切▓值越大，材料与微波的耦ㄨ合能力就越强。例如当电磁波穿过电解质时，波的速度被减小，波长也〇变短了。
介电常数介质损耗测试仪适用于科研单学、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。
介电常数介质损耗测试仪应用
介质损耗测试仪应用
绝缘材料介电常数▲介质损耗测试仪应用
高频/音频介电常数测试【仪应用
绝缘材料损耗角「正切值测试仪应用
橡胶塑№料介质损耗测试仪应用
介电常数仪/介电常数测试仪
原因是许多低介电常数材料№并不能满足集成电路工艺应用的要求。图2是不同时期半导体工业界预计低介电常数材料在集成电路工艺中应用的前景预测。
早在1997年，人们就认为在2003年，集成电路工艺中将使用的绝缘材料的介电常数（k值）将达到1.5。然而随着时间的推移，这种乐观的估计被不断【更新。到2003年，国际半导体技术︼规划（ITRS 2003[7]）给出低介电常数材料在集成电路未来几年↓的应用，其介▅电常数范围已经变成2.7~3.1。
造成人→们的预计与现实如此大差异的原因是，在集成电路工艺中，低介电常数材料必须满足诸多条件，例如：足ξ够的机械强度（MECHANICAL strength）以支撑多层连线的架构、高杨氏系数（Young's modulus）、高击穿电压（breakdown voltage>4MV/cm)、低漏电(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高热稳定性（thermal stability >450oC)、良好的粘合强度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜应力（low film stress）、高平坦〖化能力（planarization）、低ζ热涨系数（coefficient of thermal expansion）以及与化学机械抛光工艺的↑兼容性（compatibility with CMP process）等等。能够满足上述特性的完美的低介电常数材料并不容易√获得。例如，薄膜的介电常数』与热传导系数往往就呈反比关系。因此，低介电常数材料本身的特性就直接影响到工艺集成的难易度。
