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                208C高真空镀碳仪

                208C高真空镀碳仪
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                详细说明
                • tttCressington208C高真空镀碳仪为SEMTEMSTEMEDS/WDSEBSD和微探针分析提供高质量的镀膜技术。系统结构紧凑,所占空间小。样品室直径150mm,可快速抽真空进行镀膜处理,处理周期约10分钟。高真空条件下使用超纯的碳棒为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。.组件设计方式可方便地对不同优化条件下的各种应用进行切换

                主要特性

                • 电压控制的碳棒具有多次蒸发能力

                • 反馈控制可以得到准确一致的╳镀膜厚度

                • 可选择操作方法优化镀膜过程

                • 繁忙条件下可进行∮自动蒸发控制

                • 低成本高分辨膜厚监测仪保证可重复的镀◣膜效果

                • 80L/s的分子涡轮泵可快速地使直径150mm的样品室达到镀膜●要求的真空

                • 可配备无油涡旋式真空泵选件

                1. 可通过以下方式节约成本:无须╳水冷却系统

                2. 无须■加热或冷却

                3. 无须液氮

                4. 制样周期短

                5. 节省空间

                碳蒸发控制

                • 208C对碳棒-Bradley型碳蒸发源使用独特的完全集成的反馈控制设≡计。

                • 电流和电压通过磁控头的传感线监控,蒸发源作为反馈回路中的一部分被控制。该蒸发装置使常规的碳棒具有优良的稳定性▽和重现性。功率消耗低,碳棒具有异常的重新蒸镀特性。

                • 蒸发源使用⊙两步超纯碳棒。

                • 蒸发源可以手动“脉冲”或“连续”的方式进行镀膜。“脉冲”方@式如果和MTM-10高分◥辨膜厚监测仪一起使用,可以准确得到所需要的膜厚。自动方式下的操作非常方便,操作@ 者只要设定电压和时间,可以得到一致的镀膜效果。

                208C样品室

                • 样品室的组件设计方式可适应多种附件使用。

                • 通过简单调节工作距离,可方便地调节蒸发速率。

                • 独特的标准化高/低真空压力调节通过精密针阀完成。

                • 高真空用于最高质量地镀膜,如用于TEM制样。

                • 低真空用于TEM栅网的辉光放电清洁以及扫描电镜观察中形貌〇复杂样品的镀膜。

                • 对于SEMEDS/WDS和探针分析,旋转-行星转动-倾斜样品台可对同时多个样品进行一致的镀膜处理。

                • 旋转-倾斜台特别为TEM样品处理设计,而且可以放置25 x 75mm的玻片。


                技术参数

                样品室大小▲

                直径150mm、高度165mm - 250mm可调

                蒸发源

                Bradley(6.15mm直径rods),高强度不锈钢结构

                蒸发控制

                基于微处理器的反馈回路控制,能够进行远程电流/电压感应,基于真空水平变量的安全互锁功能,最大电流180A,提供过流保护

                样品台

                可安装12个扫描电镜样品座

                高度在60mm范围内可调

                旋转-行星转动-倾斜样品台(选件)

                模拟计量

                真空,双范围Atm0.001mb1 x 10-3mb5 x 10-6mb
                电流, 0 - 200A

                控制方法

                自动蒸发控制,使用程序设定的电压和时间,自动放气

                以脉冲或连续方式进行完全手动控制

                数字定时器(030s

                数字电压设置(0.1 to 5.5V

                真空系统

                结构

                分子涡轮泵/旋片泵组合,无油涡旋式真空泵(选件)

                抽真空速度

                80 L/s.

                抽真空时间

                1.5 min1 x 10-4mb

                极限真空

                5 x 10-6mb

                桌上系统

                旋片泵可置于抗震台上,全金属真空耦合系统

                系统要求

                电源

                100-120200-240 VAC, 50/60Hz

                功率

                1200 VA max.



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