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                ZnGeP2(ZGP)红外非线⊙性晶体

                ZnGeP2(ZGP)红外▆非线性晶体
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                • ZnGeP2(ZGP)红≡外非线性晶体
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                详细说明

                ZnGeP2 (ZGP) 红外非线性晶体:

                AgGaS2

                AgGaS2的透光波段↑为0.53至12 µm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的,但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验,直接红外对抗系统,以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频,硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光

                泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过∞光谱

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线

                √ZnGeP2√GaSe ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体
                √AgGaSe2√ZnTe
                √AgGaS2
                ü

                由于具有独特的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2

                AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线】性晶体,在

                中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的

                兴趣。它们的应用包括:

                • 中红外波段OPO

                • 近、中红外波段频率转换

                • CO2 激光倍频

                • THz生成

                红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性,宽的

                光谱和角度接收范围,透光范围宽,对温度稳定

                性和振动控制没有苛刻的要求,可以进行良好的

                机械加工( GaSe除外)。

                其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS

                ZnGeP2

                AgGaSe2

                GaSe

                ZnGeP2晶体ξ的透光波段为0.74至12 µm,其中有用的透光范围从1.9至10.6 µm。 ZnGeP2拥有最大@ 的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域:
                • 通过与10.6 µm 波长混频的 CO2激光的上转换;
                • CO和 CO2激光辐射的和◣频;
                • 脉冲式CO、CO2和DF化学激光的高效倍频;饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。
                E K S M A 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 µm的ZnGeP2 晶体,更好的适应OPO或OPA应用,然后泵浦2.05-2.1 µm,镀增透膜。

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                ZnGeP2晶体1型OPO和SHG调谐曲线

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                ZnGeP2晶体在2 µm附近的吸≡收光谱

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                15 mm长镀增透膜ZnGeP2晶体 µm 的透过光谱

                AgGaSe2晶体的透光波段在0.73至18 µm波段之间。其有用透光范围0.9-16 µm及宽的相匹配能力,在被多种当前常用激光泵浦时,能为OPO应用→提供极具潜力的应用。在2.05 µm的Ho:YLF激光泵浦下,已经获得2.5-12 µm的波长,以及在1.4-1.55 µm激光泵浦下,获得1.9-5.5 µm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO2激光的高效倍频已经得到证明。

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱

                GaSe 晶 体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 µm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面:CO2激光的高效倍频,脉冲式CO、CO2和DF化学 激光(λ = 2.36 µm)倍频,CO和CO2激光向可见光的上转换,通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲,3.5–18 µm范围内 OPG光的发生,飞秒脉♀冲泵浦时0.2-5 THz范围的高@效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域,为了得到特∮定相位匹配角的晶体切割是不可能的。

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                17 mm长无镀膜GaSe晶体的透过光谱

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                GaSe晶体Type 1 和Type 2 SHG调谐
                曲线

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体

                ZnGeP2(ZGP)红外非线性晶体切割后的 GaSe晶体胶合在特殊环形支架上

                物理特性

                晶体

                ZnGeP2

                AgGaSe2

                AgGaS2

                GaSe

                ZnTe

                晶体对称性

                四方

                四方

                四方

                六角

                立方闪锌矿

                点群

                42m

                42m

                42m

                62m

                43m

                晶格常数, Å a

                5.465

                5.9901

                5.757

                3.742

                6.1037

                c

                10.771

                10.8823

                10.305

                15.918

                -

                密度, g/cm3

                4.175

                5.71

                4.56

                5.03

                5.633

                光学特性

                晶体

                ZnGeP2

                AgGaSe2

                AgGaS2

                GaSe

                ZnTe

                透光范围,µm

                0.74-12

                0.73-18

                0.53-12

                0.65-18

                0.65-17

                折射率@

                1.06 µm

                no

                3.2324

                2.7005

                2.4508

                2.9082

                2.7779

                ne

                3.2786

                2.6759

                2.3966

                2.5676

                5.3 µm

                no

                3.1141

                2.6140

                2.3954

                2.8340

                2.6974

                ne

                3.1524

                2.5823

                2.3421

                2.4599

                10.6 µm

                no

                3.0725

                2.5915

                2.3466

                2.8158

                2.6818

                ne

                3.1119

                2.5585

                2.2924

                2.4392

                吸收系数, cm-1 @

                1.06um

                3.0

                <0.02

                <0.09

                0.25

                -

                2.5um

                0.03

                <0.01

                0.01

                0.05

                -

                5.0um

                0.02

                <0.01

                0.01

                0.05

                -

                7.5um

                0.02

                -

                0.02

                0.05

                -

                10.0um

                0.4

                -

                <0.06

                0.05

                -

                11.0um

                0.8

                -

                0.06

                0.05

                -

                非线性光学特性

                晶体

                ZnGeP2

                AgGaSe2

                AgGaS2

                GaSe

                ZnTe

                激光损失≡阈值, MW/cm2

                60

                25

                10

                28

                -

                @脉宽, ns

                100

                50

                20

                150

                -

                @波长, µm

                10.6

                2.05

                1.06

                9.3

                -

                非线性, pm/V

                111

                43

                31

                63

                -

                Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 µm, deg

                76

                55

                67

                14

                -

                Walk-off角@5.3 µm, deg 0.57

                0.57

                0.67

                0.85

                3.4

                -

                热学特性

                晶体

                ZnGeP2

                AgGaSe2

                AgGaS2

                GaSe

                ZnTe

                熔点, oC

                1298

                851

                998

                1233

                1295

                热膨胀系, 10-6/oK

                17.5(a)

                23.4(c)

                12.5

                9.0

                8.0

                9.1(b)

                18.0(d)

                -

                -

                -

                1.59(a)

                -6.4(c)

                -13.2

                8.25

                -

                8.08(b)

                -16.0(d)

                -

                -

                -

                @ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K

                计算折射率的SELLMEIER方程:

                晶体

                A

                B

                C

                D

                E

                F

                表达式

                ZnGeP2

                no

                8.0409

                1.68625

                0.40824

                1.2880

                611.05

                -

                n2=A+Bλ2/(λ2-C)+Dλ22-E)

                ne

                8.0929

                1.8649

                0.41468

                0.84052

                452.05

                -

                AgGaSe2

                no

                6.8507

                0.4297

                0.15840

                0.00125

                -

                -

                n2=A+B/(λ2-C)-Dλ2

                ne

                6.6792

                0.4598

                0.21220

                0.00126

                -

                -

                AgGaS2

                no

                3.3970

                2.3982

                0.09311

                2.1640

                950.0

                -

                n2=A+B/(1-C/λ2)+D/(1-E/λ2)

                ne

                3.5873

                1.9533

                0.11066

                2.3391

                1030.7

                -

                GaSe

                no

                7.443

                0.405

                0.0186

                0.0061

                3.1485

                2194

                n2=A+B/λ2+C/λ4+D/λ6+E/(1-F/λ2)

                ne

                5.76

                0.3879

                -0.2288

                0.1223

                1.855

                1780

                ZnTe

                No, ne

                9.92

                0.42530

                0.37766

                2.63580

                56.5

                -

                n2=A+B/(λ2-C2)+D/(λ2/E2-1)

                可以根据客户要求提供的其它晶体有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS

                ZnTe / 碲化锌:

                碲化锌晶∑ 体在<110>方向被用于通过光整流过程来产生█太赫兹。光整流效应是晶体的二阶非线性光学效应,也是一种特殊的差频效应。对于有一定带宽的飞秒激光脉冲,不同的频率分相互作用产生从0到几太』赫兹的带宽。太赫兹脉冲的整流是通过碲化锌晶体另一个<110>方向内自由空间电光整流产生的。太赫兹脉冲和可见光脉冲在碲化锌晶体内直线传播时,太赫兹脉冲在碲化锌晶体内产生双折射,这一现象被线偏振可←见光脉冲读出。当可见光脉冲和太赫兹脉冲同时在同一晶体内传播时,可见偏振光在太赫兹脉冲作用下产生旋光,用一个λ/4波片和一个分束偏振器以及一组〓平衡光电二极管,通过监控可见光脉冲从碲化锌晶体出射后的偏振旋转相对于太赫兹脉冲的一组延迟时间,就可以监测太赫兹脉冲的振幅轨迹。能够读↓出完整的电场、振幅和延迟,是时域太赫兹光谱的魅力之一。
                碲化锌也被用于红外光学元件基板和真空沉积。我们可提∮供尺寸为Ø40x30 mm的光学元件。
                注意: 碲化锌含有微气泡,这并不影太赫兹的产生,然而,它们在晶体被照明时的投影下是可见的。我们不接受关于晶体◥内有气泡的投诉。

                如何订购:

                ZnGeP2 (ZGP) Crystals

                货号

                Size, mm

                θ

                φ

                镀膜

                标注

                交货期

                TL-ZP-401

                7x5x15 mm

                54°

                µm+µm

                OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

                3周

                TL-ZP-402

                7x5x20 mm

                54°

                µm+µm

                OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

                3周

                TL-ZP-403

                7x5x25 mm

                54°

                µm+µm

                OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

                6周

                AgGaS2(AGS) Crystals

                货号

                Size, mm

                θ

                φ

                镀膜

                标注

                含税单价

                交货期

                TAGS-401H

                5x5x1 mm

                39°

                45°

                BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

                DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

                9800元

                1周

                TAGS-402H

                6x6x2 mm

                50°

                BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

                DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2

                16450元

                联系我们

                TAGS-403H

                5x5x0.4 mm

                34°

                45°

                BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm

                SHG @ 3-6 μm, Type 1

                12300元

                1周

                TAGS-801H

                8x8x0.4 mm

                39°

                45°

                BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

                DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

                26800元

                1周

                TAGS-802H

                8x8x1 mm

                39°

                45°

                BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

                DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

                23490元

                1周

                AgGaS2crystals are provided mounted into 25.4 mm diameter ring holder.

                关于质量控制实验室:

                Terahertzlabs光学的质量控制实验室通过使用高度专业化的设备和工艺,能够为客户提供高■质量的精密光学元件。质量控制实验室配备了防振光学平台、层流罩和超声波清洗机,此外还配备了一系列高精度的测量设备①来进行各种各样的测试。
                光学测试
                1, Genesys-2 分光光度计:用于200-1100 nm波段透ㄨ过率的精密测量;
                2,EKSPLAlaser spectrophotometer – 用于210-2300 nm波段透过率和反射率的精密测量,激光光 束直径<1 mm;
                3, ESDI Intellium Z100 Fizeau Interferometer – 用633 nm波长测量面形和透过波前畸变的计算机控制科学干涉仪,标】准具精度lambda/20;
                4,EKSPLANL220 laser - Nd:YAG激光器,工作波长1064、532、355和266 nm,用于晶体角切精度测量、晶体效率和方向性测试;
                5,Moeller-Wedel Optical Elcomat vario140/40 Autocollimator;
                6,G-5 Ganiometers – 用于测量棱镜和楔角片↑角度,以及平面光学元件
                的平行度和◎塔差;
                7, Nikon Microscopes - 56-400倍放大显微镜,带CCD相机,用于表面质
                量检测;
                8,Trioptics Super-Spherotronic HR Spherometer;
                实验室能力
                光学实验室具有如下能力:
                1,光学和几何参数测量,如焦距、折射率、曲率半径、角度和〗塔差,用于波长转换(二、三次倍频)的光轴方向测量;
                2,表面质量测量,按照MIL、ISO或DIN标准;
                3, 平面度测量:波前畸变(反射和透过光束);
                4, 棱镜和楔角@ 片角度测量,平面元件的平行度测量;
                5,材 料 和 薄 膜 镀 膜 光 谱 测 量 , 和 /或 角 反 射 和 透 过 率 测 量 ( 2 0 0 -2300 nm);
                6, 用ZEMAX软件进行光学设计。

                关于晶体选择列表仅供客户参考

                A-F系列

                G-H系列

                L-N系列

                P-Z系列

                Al2O3

                GaTe

                LaAlO3

                PbWO4

                Al

                GaN

                LiTaO3

                PbF2

                Au

                GaP

                LiNbO3

                PbS

                Ag

                Ga:ZnO

                LiF

                PIN-PMN-PT

                AlN 单晶

                GdScO3

                LSAT

                PMN-PT

                BaF2

                GaSb

                LaF3

                SrTiO3(国产,进口,Ti面终止SrTiO3)

                BaTiO3

                GaAs

                LiAlO2

                SrLaAlO4

                BGO

                Graphite(普通;热解)

                LGS 硅酸镓镧

                SrLaGaO4

                BSO

                GaSe

                LiGaO2

                Si( 超薄Si片)

                Bi2Te3

                GGG(Gd3Ga5O12)

                LGT钽酸镓镧

                SiC (4H,6H,3C)

                Bi2Se3

                Ge

                MgAl2O4

                SBN

                Bi2Se2Te

                Hg(1-x)Cd(x)Te

                MgF2

                SiO2(玻■璃和单晶)

                Bi2Te2Se

                InP

                MgO

                Si-Ge

                BP 黑磷

                InAs

                MoSe2

                TiO2(锐钛矿型,金红石型)

                CdS

                InSb

                MoS2

                TbScO3

                CsI (TI)

                KH2PO4

                MoTe2

                TGG

                CaCO3

                KTaO3

                MgO:LiNbO3

                TeO2

                Cu(单晶)

                KTa 1-X NbXO3

                NdCaAlO4

                WTe2

                CdSe

                KCl

                NaCl

                WS2

                Ce:Lu2SiO5

                KTN

                Nb:SrTiO3(国产,进口)

                WSe2

                CdWO4

                HOPG

                NdGaO3

                YAG

                CdZnTe

                NaCl

                YSZ

                CdTe

                Ni

                YAlO3

                CeF2

                YVO4

                CaF2

                ZnTe

                DyScO3

                ZnSe

                Fe:SrTiO3

                ZnO

                Fe3O4

                ZnS

                Fe2O3

                Zero diffraction plate (Si和SiO2)

                留言咨询
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