1.4～6组蒸发源，兼容有机蒸发与无机蒸发,多元共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜.
2.基片旋转/衬底加热/掩膜，功能强大，性能稳定.
主要技术指标
| 型号 | ZHD-400 |
| 真空腔室 | Φ400×H450mm，304不锈钢 |
| 真空系统 | 分子泵+直联旋片泵准无油真空系统 |
| 极限真空 | 优于5.0×10-5Pa（如需更高真空度可配进口真空泵组） |
| 基片台及掩膜板 | 基片台尺寸：120× 120mm（可根据用户基片形状和尺寸定制基片台及掩膜板）；基片台加热ω：室温～300℃；基片〗台旋转（0～20转/分钟）及光控定位 |
| 蒸发源 | 4组蒸发源（舟式源或挂丝ω 源，兼容有机材料蒸发） |
| 膜厚控制系统 | 采用晶振膜厚仪在线监测、控制膜厚，1～2套水冷探◎头 |
| 控制方式 | 手动逻辑控制 |
| 报警及保】护系统 | 对泵、靶、电极等缺水，过流过压，断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的◤逻辑程序互锁保护系统 |
