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                JCP-200单靶磁控☉溅射镀膜机

                JCP-200单靶╲磁控溅射镀膜机
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                详细说明

                JCP-200单靶磁控溅射镀膜机

                1.配1只磁控靶,预留1对蒸发电极,溅射/蒸发两用!
                2.设备占地面积小,价格便宜,使用维护成本低!科研/教学设备!

                镀膜方式 磁控溅射镀膜+蒸发镀膜(选配)
                真空腔室尺寸 Φ200×H300mm
                真空腔室结构 立式上开盖结构,下置抽气系统,手动气弹簧提开式
                真空系统 分子泵+直联旋片泵准无油真空系统
                极限真空 优于5.0×10-5Pa(如需更高真空度可配进口真空泵组)
                基片台尺寸 Φ100mm
                基片烘烤温度 室温~400℃,可调可控(PID控温)
                基片运动方式 自转,转速0-20转/分,可调可控
                膜厚ω 不均匀性 ±(1.5~5.0)%
                溅射靶/蒸发电极 Φ2英寸靶1支,预留1组蒸发接口
                电源 直流/中频/射频电源;数量1台
                报警及保护系统 对泵、靶、电极等缺※水,过流过压,断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施;完善的逻辑程序互锁保护系统
                选购件 蒸发电极+蒸发电源、负偏压【电源、循环水机、膜厚控制系

                可以根据客」户需求订制

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