设备概述
1.配多只磁控靶,可实现单靶独立、多靶轮流、组合共溅。
2.可制备单层膜、多层膜或复合膜；科研教学及企业新产品开发首选。
| 主要技术指标 | |
| 真空腔室 | φ350 mm×H400mm； |
| 真空系统 | 复合分子泵+直联旋片泵准无油真空系统； |
| 真空极限 | 优于5.0×10-5Pa； |
| 基』片台尺寸 | φ120mm范围内可装卡各种规格基片； |
| 基片加热温度 | 室温～500℃，自动测温，可调可控（PID控温）； |
| 溅射靶及电源 |
2英寸，标配2只，另预留1只靶位及1对蒸发电极接口； 各靶兼容直↘流溅射/中频溅射/射频溅射； |
| 膜厚不均匀性 | φ75mm范围内≤±5%； |
| 控制方式 | 手动按钮控制； |
| 报警及保护 | 对泵、靶、电极等Ψ 缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执ㄨ行相应▃保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统。 |
