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磁阻效应实验仪 GT4510 |
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GT4510磁阻效应实验仪使用砷化镓(GaAs)霍尔传感器测量磁感应强度, 研究本实验装置使用砷化镓(GaAs)霍尔传感器测量磁感应强度, 研究锑化铟(InSb)磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小.可观测半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理规律,及其作为磁测量不同应用; 仪器提供交变磁场, 可观察磁阻元件的倍频效应, 具有研究性和相关性的实验特点, 适合于基础物理实验和综合性物理实验 |
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实验项目 ? 了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法 ? 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系 ? 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线 并进行相应的曲线和直线拟合 ? 学习用磁阻传感器测量磁场的方法 ? 观察磁阻元件的倍频效应
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主要参数 ? IM:励磁电流, 直流0～900mA连续可调, 3位半数显 ? 磁场强度测量范围0～999. 9mT, 准确率1% 磁阻电压0～2000mV, 准确率0.5% ? 交流励磁电压:Vp-p>11V, 频率＜10Hz |
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出厂价: GT4510 ￥5520.00元 |
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