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微波CVD薄膜制备装置 GT2008 |
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微波CVD薄膜制备【装置由微波源、真空系统、供气系统、微波传输及微波谐振腔等部分组成. 适合于大学近现代物理、材料、化学等领域进行微波CVD原理与方法的教学」、研究, 以及金刚石与类金刚石薄膜的制备实验及科学研究.
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主要技术特点 一般的理论性验证的微波CVD设备, 往往实际成膜困难或成膜品质很▆难控制. 本装置融入了金刚石薄膜制备领域多位专家二十多年的深厚经验, 性能优异, 具有多项独特技术, 适应性广, 有多种技术规格的系△列产品可供优选. 经北京大学等多家国内著名高校使用与验证, 能高效地运ㄨ用微波CVD法制备与生长金刚石薄膜, 及碳纳米管、氮化硅、碳化硅等超硬膜. 具有生长速度快、操作简便、性价比高等优点.
主要技术参数
? 薄膜◆沉积室: Φ50×H300 mm石英玻璃真空室;
? 微波功率:0～800 W连续可调输出;
微波传输模式: TE10模式模式◢传输;
? 进气系统:
GT2008 : 二路质量流量¤计;
GT2008A/ GT2008K/ GT2008F : 四路质量流量计;
? 恢复真空: GT2008/ GT2008A : 2Pa;
GT2008K : 9×10-3 Pa; GT2008F : 2×10-4 Pa;
? 真空测量: GT2008/ GT2008A : 数显电阻真空计;
GT2008K/ GT2008F : 数显复合真空计.
出厂价:
GT2008 ￥132000.00元; GT2008A ￥186000.00元;
GT2008K ￥194400.00元; GT2008F ￥255600.00元
? 真空系统:
GT2008 GT2008A : 2XZ-4机械泵, 速率: 4 L/S, AC 220 V供电;
GT2008K: 2XZ-4机械泵+K-50扩散泵;
GT2008F: 2XZ-4机械泵+F100/110分子泵;
? 极限真空:
GT2008/ GT2008A : 6. 7×10-1 Pa;
GT2008K :5×10-3 Pa; GT2008F:5×10-4 Pa;
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