ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀 SI 500
SI 500是高刻蚀速㊣率、低损伤刻蚀Ψ设备，特别针对III-V半导体和微光学应用
主要特点:
• 高速率刻蚀
• 低损伤
• 高深宽比
• 高一致性
• 平板三螺旋天线式PTSA等离子源(P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna
• 远程控制
• 应用领域：III-V半导体化合物，微光学，微系统
• SENTECH高级等离子设备操作软件
• 穿墙式安装方式
• 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统
系统配置:
• PTSA ICP等离子源 (13.56 MHz, 1200 W)，集成自「动匹配网络。
• RF偏置(13.56 MHz, 600 W)
• 循环进气，集成到PTSA源内
• 高速率真空泵系统，独立气流压强控制
• 预真空锁loadlock， 带有取放机械手
• 绝缘、冷却和加热电极(-30ºC up to 250ºC)，6" 基底或6" 托架(支持2", 3", 4" 晶圆,小片样品)
• He背部冷却，机械钳
• 动态温度控制
• 远程控制
• PC (Windows XP)
• SENTECH高级等离子设备操作软件
特性:
• 全自动/手动过程〓控制
• Recipe控制刻蚀过程
• 智能过程∩控制，包括跳转、循环]调用recipe。
• 多用户权限设置
• 数据资料∞记录
• LAN网络接口
• Windows NT 操作软件
选项:
• 增加气路
• Quartz window for PTSA source
• 在线◢监测窗口，穿过PTSA源
• 循环冷却器，用于☆下电极温度控制(-30ºC to 80ºC)
• 高密度等离子体磁性衬板
• 对等离子源和磁性衬板的外部升高装置
• 隔离环
• Cassette到cassette操作方式
• 穿墙式安装方式
• 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统
