SI 500 D PTSA ICP等离子沉积系统
SI 500 D高密度等离子沉积系统针对ICPECVD沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100ºC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。
SI 500 D主要特点:
• 平板三螺旋天线式PTSA等离子源(P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna
• 高速率沉积
• 低损伤
• 高质量低温沉积电介质膜
• (T >= 80°C)
• 远程控制
• SENTECH高级等离子设备操作软件
• 穿墙式安装←方式
系统配置:
• PTSA ICP等离子源(13.56 MHz, 1200 W)
• 两路循环进气
• 6 MFC控制气路(SiH4, NH3, N2O, O2, Ar, CF4)
• 预真空锁loadlock， 带有取放机械手
• 高速率真空泵系统，独立气流压强控制
• 绝缘电极，支持6" 基底或6" 托架(支持小晶圆,小片样品)
• 基底温度可到350ºC
• 远程控制(RFC)
• Windos XP操作系统
• SENTECH高级等离子设备操作软件
特性:
• 全自动/手动过程控制
• Recipe控制沉积过程
• 智能过程控☆制，包括跳转、循环]调用recipe。
• 多用户权限设置
• 数据资料记录
• LAN网络接口
• Windows NT 操作软件
Options:
• 增加气路
• Cassette到cassette操作方式
• 穿墙式安装
• 激光干涉终点探测系统
