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                MIC-4070D 掌上型LCR电桥

                MIC-4070D 掌上型LCR电桥
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                MIC-4070D
                北京市大西洋仪器工程有限责任公司
                北京
                详细说明
                • 电感测量范围:0.1ΩH—200H
                • 电容测量范围:0.1pF--200000ΩF
                • 电阻测量范』围:1MΩ--20MΩ
                • 损耗因子测量
                • 零点调节
                • 响应速度快

                技术指标

                • 测量范围和精度
                • 电容量
                  范围 精度 分辨率 测试条件
                  200pf 1%+2 0.1pf 并联1KHz, 0.5Vrms
                  2nf 1pf
                  20nf 10pf
                  200nf 100pf
                  2μf 1000pf
                  20μf 0.01μf 串联120Hz, 1mArms
                  200μf 0.1mf 串联120Hz, 10mVrms
                  2mf 2%+10 1μf
                  20mf 10μf
                • 损耗因子
                  范围 精度
                  0~1.999 2000pf 2nf≤Cx≤2μ μ 20mf
                  N.S 1%+10+2000 CX 2%+20+2000 Cx N.S


                  Cx:电容量读数
                  精度〓测量条件:电容从满刻▆度的20%到100%,在串联模式下的精度测

                • 电感
                  测量范围
                  精度
                  分辨率 测试条件
                  200μH 2%+2 0.1μH 串联 10mArms,1kHz
                  2mH 1%+2 1μH 10mArms,1kHz
                  20mH 10μH 1mArms,1kHz
                  200mH 100μH 0.1mArms,1kHz
                  2H 2%+2 1mH 并联120Hz,
                  0.5Vrms
                  20H 10 mH
                  200H 3%+2 100 mH

                  精度◥测量条件:电感从满刻度的10%到100%,在并联模式下的精度测

                • 损耗因子
                  测量范围 精度
                  0~1.999 Lx≤200 mH 200 mH<200H
                  1%+10+2000 Cx 2%+20+2000 Lx

                  Cx:电感读数
                  精度测量条件:电感从满刻度的20%到100%,在并联模式下的精度测量

                • 电阻
                  测量◆范围内 精度 分辨率 测试条件
                  1%+5 1mΩ 串联1KHz 10mArms
                  20Ω 10mΩ 10mArms
                  200Ω 1%+2 100mΩ 1mArms
                  2kΩ 0.1mArms
                  20kΩ 10Ω 10μArms
                  200kΩ 100Ω 1μArms
                  2mΩ 2%+2 1kΩ 并联1KHz,0.5Vrms
                  20mΩ 10kΩ
                • 精度:读数%+位数;
                • 精度测量条件:电阻从满刻度※的10%到100%,在并联模式下的精度测量
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