设备特点概述
适用范围：高纯度单晶生长及掺杂研究（for high purity single crystal diamond and doping research）、批量化生产单晶（for massive production of single crystal diamond）
生长速度：可高达50μm/h，甚至更高；
生长范围：可在直径50mm范围内生卐长、或者在直径100mm范围内生长。
单晶研究及掺杂、规模生产型
功率：2.45GHz，6KW；
水冷样≡品台：50 diameter，样品台旋转可选
真空系统：vane pump或者dry pump+涡轮♂分子泵TMP
控制系统：半自动或全自动控制
生长速率：高达 50μm/h，or even higher
多※种子沉积: 10-25 PCS @5×5, other size possible(10×10 or 20×20)
整体特点：专门为单晶生产及研究配置，易掺杂；可获得高纯度单晶金刚石(SCD)，杂质含量<1ppm，
，无色透明单晶; 可实现高浓】度B-doping、N-doping，获得高迁移率金刚石半导体，部分研究机构使用我们的々设备已经实现产品化。
大规模单晶生产型：
功率：915MHz，30KW
样品台：直径100mm，水冷，旋转
真空系统：vane pump/ dry pump+TMP，真空度10-7 Torr
全□自动控制模式，手动和半自动可选
生长速率：up to 50μm/h
多种子同时生长: 40-100 PCS @5×5, other size possible(10×10 or 20×20)
整体特点：专∮门为大规模单晶生产配置；可获得高纯度单晶金刚石(SCD)，可实掺杂，也可以使用该配置设备进行大面积UNCD/PCD生长（4’’-10’’）。
