品特点概述
适用范围：生长大面积金刚石薄膜(4-10英寸，甚至更大)
生长速度：可高达several μm/h，甚至更高；
生长范围：可在直径100mm范围内↙生长、或者在直径300mm范围内生长。
生长温度：350℃-800℃；
晶粒大小：UNCD（2-5nm）、纳米晶、微米晶（几十μm）
研究及小规模生产型：
微波发」生器：2.45GHz，6KW；
加热衬底：3’’-4’’ ,衬底旋转、偏压电极可选；
真空系统：vane pump / dry pump，涡轮分子泵可选
气路：CH4，H2，Ar; 可以配备6-7条气路.
控制方式：半自动或全自动；
生长速率：可达 15μm/h或更高
偏压电极或Ar Gas line必须；
整体特点：用于MEMS领域
大规模大面积生产研发型：
微波发生器：915MHz，30KW；
衬底：直径250mm后更大; 衬底旋转和◤加热可选.
或4个 4 衬底, 加热和旋转每个衬底可选.
真空系统：vane pump or dry pump+TMP；
全№自动控制，支持半自动和手动模式
气路：CH4，H2，Ar; 最多可配7条气路
生长速率：可达15μm/h，更高生长速率可能.
偏压可选
整体特点：专门大面积纳米晶、超纳米晶金刚石薄膜研究及生产配置；可获得4’’-10’’薄膜，可用于MEMS领域.
