RF 输出
频率: 10 MHz 10 MHz
版式: CMOS CMOS
振幅: 0-3.3 V 0-3.3 V
负载阻抗: 1 MΩ 1 MΩ
数量: 1 1
1PPS 输出
升压时间： < 5 ns < 5 ns
脉冲宽度： 400 μs 400 μs
电压水平： 0-3.3 V 0-3.3 V
负载阻抗： 1 MΩ 1 MΩ
数量： 1 1
1PPS 输入
形式： 上升边缘 上升边缘
低电平： < 0.5 V < 0.5 V
高电平： > 2.5 V > 2.5 V
输入阻抗： 1 MΩ 1 MΩ
数量： 1 1
串行通信
协议: RS232 RS232
版式： CMOS 0-3.3 V CMOS 0-3.3 V
Tx / Rx阻抗： 1 MΩ 1 MΩ
传输速率： 57600 57600
内置①测试设备(BITE)输出
版式： CMOS 0-3.3 V CMOS 0-3.3 V
负载阻抗： 1 MΩ 1 MΩ
逻辑性： 0 =正常操作
1 =报警（错误操作）
输入功率
操作： < 120 mW < 125 mW
加热： < 140 mW < 140 mW
工作电压： 3.3±0.1 VDC 3.3±0.1 VDC
电流： < 37 mA < 38 mA
（环境规格） -001 -002
操作
操作环境： -10℃到+70℃ -40℃到+85℃
频率变化容许温度范围下: (最大变化率0.5℃/分钟):
±5 E-10 ±1 E-9
频率变化容许输入电压范围：
< 4 E-10 < 4 E-10
磁灵敏度(Gauss±2.0):
< 9 E-11/Gauss < 9 E-11/Gauss
辐射发射： 符合FCC部分15，B类，当安装在印刷电路板。
符合FCC部分15，B类，当安装在印刷电路板。
振动： 保持锁在MIL-STD-810，方法，程序1 7.7 514.5 grms。
保持锁在MIL-STD-810，方法，程序1 7.7 514.5 grms。
湿度： 0到95% RH / MIL-STD-810、方法507.4。
0到95% RH / MIL-STD-810、方法507.4。
存储与运送（不能操作）
温度： - 55℃到+90℃ - 55℃到+90℃
撞击(1 ms半正弦): 1000 g 1000 g
振动： 保持锁在MIL-STD-810，方法，程序1 7.7 514.5 grms。
保持锁在MIL-STD-810，方法，程序1 7.7 514.5 grms。
（参数指标） -001 -002
稳定性(Allan偏差）：
短期稳定度 短期稳定度
TAU = 1 sec 1.5 E-10 2 E-10
TAU = 10 sec 5 E-11 7 E-11
TAU = 100 sec 1.5 E-11 2 E-11
TAU = 1000 sec 5 E-12 7 E-12
射频输出相位噪声(SSB)：
1 Hz < -55 dBc/Hz < -55 dBc/Hz
10 Hz < -78 dBc/Hz < -78 dBc/Hz
100 Hz < -113 dBc/Hz < -113 dBc/Hz
1000 Hz < -128 dBc/Hz < -128 dBc/Hz
10000 Hz < -135 dBc/Hz < -135 dBc/Hz
100，000 Hz < -140 dBc/Hz < -140 dBc/Hz
频率准确度：
搬运校准度： ±5 E-11 ±5 E-11
追溯(48小时关闭): ±5 E-11 ±5 E-11
每月老化率： <3 E-10 <3 E-10
每年老化率： <1 E-9 <1 E-9
1 PPS同步： ±100 ns ±100 ns
数字调谐：
范围： ±2 E-8 ±2 E-8
分辨率 ： 1 E-12 1 E-12
模拟调谐：
范围： ±2.2 E-8 ±2.2 E-8
分辨率： 1 E-11 1 E-11
输入： 0-2.5v至100kΩ 0-2.5v至100kΩ
预热时间： < 130 s < 180 s
