系统具有的主要技术特征
采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS，符合国军标的规定
采用嵌∑入式计算机控制，实现脱机运行；
16位并行D/A、A/D设计，测试速度快、精度高；
采用多级开尔文技术，系统稳定性高，测试结果准确；
采用三级保护技术，系统可靠，对被测器件无损伤；
丰富的WINDOWS界面菜单编程【和控制能力、方便的用户信息文件、统计文件方式；
晶体三极管自动NPN和PNP 判别能力，防止选错类型；
二极管极性自动判别选择，用户测试二极管不必注意极性；
完整的自检/自校①准能力；
测试系统需要的其它多种数①据后处理能力；
1. 主要技术参数
主极电压 1200V
主极电流 10mA
控制极1电压 20V
控制极1电流 10A
控制极2电压 20V
控制极2电流 1A
电压分辨√率 1mV
电流分辨ω 率 1nA
测试速度 器件不同速度也不同
2. 可测试◆器件种类
BJ2939系统测试功◎能更加强大，可测试八类中、小功︾率的半导体分立器件：
1． 二极管 Diode
2． 稳压（齐纳）二极管 Zener
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
4． 可控硅整流器（普通晶闸管） SCR
5． 双向ζ 可控硅卐（双向晶闸管） TRIAC
6． MOS场效应管 Power MOSFET（N-沟/P-沟）
7． 结型场效应管 J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
8． 光电耦合◤器 OPTO-COUPLER
上述所列类别包括各中、小功率半导体分立器△件及其组成的阵列、组合、表贴器件。
测试方法符合国家行▓业总规范、相应的国家标准、国家军用器件「测试标准。
提供上述各←类器件测试所用的不同封装形式的测试夹具和测试适配器。
可以定做各种阵列【、组合封装、表贴器▅件的测试夹具。
帮助用户开发各种器件的测试程序。
3.测试参数注释↓：
漏电参数： IR、 ICBO、 LCEO/S、IDSS、 IDOFF、 IDGO、ICES、IGESF、IEBO、 IGSSF、 LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
击穿参数： BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、 VD、 BVCBO、、 VDRM、 VRRM、 VBB
BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、 BVEBO、 BVGSS
增益参数： hFE、CTR、gFS
导通参数: VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
关断参数: VGSOFF
触发参数: IGT、VGT
保持参数: IH
锁定参数： IL
混合参数: rDSON、gFS
