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G-CVD
详细说明
石墨烯（Graphene）自2004年发现以来，在短短数年间已经成为凝聚态物理、化学、材料科学等领域∑ 研究中倍受瞩目的“明星材料”。
化学气相沉积（CVD）是目前制备石墨烯的最有效、也是最具研究价值的方法。搭建一套完整而高效的石墨烯化学气相沉积系统并非易事，即使在系统搭建完成后，要真正制备出单层石墨烯，还需要较长时间的参数优化。这往往使得科研人员错过了最佳的研究时机。
G－CVD石墨烯化学气相沉积系统由▓厦门烯成新材料科技有限公司与国内顶尖石墨烯研究机构合作开发，提供完整的石≡墨烯生长系统，同时提供石墨烯转移及测试的解决方案。G-CVD系统兼容真空及㊣常压两种主流的生长模式，采用计算机》自动控制，系统内置了多种制备石墨烯的生长参数，用户只需简单操作，就可№以轻松的制备出高质量的石墨烯。采用该系统，可以制备出毫米尺寸的石墨烯大单晶，也可以制备出数十厘米尺寸的石墨烯连续薄膜，还能生长13C同位素石墨烯。将为科研人员提供大量的研究机会，以及为实现各★种科学想法创造了条件。
主要特点：
兼容真空及常压两种主流的生长模式
G-CVD系统是一套完备的石墨烯『制备系统，包括硬件和软件部分。工作在常压气氛或真空条件，通过控制，可以在10-3 Torr ~ 760 Torr之间的任意气压下进行石墨烯的生长。既可以生长出六边形的石墨烯单晶∑，也可以生长出花瓣状的石墨烯的单晶。
计算机自动控制，内置多种生长参数
整个石墨烯生长过程的重要参数由计算机进行精确控制，包括温度、气体流量等。控制软件内置多种生长优化参数，用户仅需将衬底放入样品腔，即可开始生长。
制备高质量石墨烯单晶，单晶尺寸可达数毫米
采用特殊优化的生长条件，可以得到尺寸达数毫米的单畴单晶。在多※晶薄膜方面，可以制备得到数十厘米尺寸的单层石墨烯薄膜。
生长13C同位素石墨烯，研究石墨烯生长动力学过∏程
