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一、主要用途：
应用于研究和确定晶体生长机理及开展表面物理研究，并可生长各种半导
体材料。
可精确控制外延薄膜的厚度,成分和搀杂浓度,外延生长时可做原位分析与
检测,实现原子尺度的外延生长.
二、技术指标：
系统漏率≤6.7×10-9Pa.l/s
系统极限真空镀≤6.7×10-8Pa
样品最高加热温度：800℃
三、系统组成：
本系统主要由真空抽气系统、真空室、进样室、样品台系统加热及控温系
统等组成.
