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主要用途：
本系统为双室超高真空磁控溅射镀膜设备，主要用于镀制氧化物薄膜材料。
二、技术指标：
系统极限真空：溅射室：6.7*10-5Pa；样品处理室：6.67*10-5Pa
漏率小于等于1*10-7Pa.L/s
三位样品台，自转转速0～40转/分，样品台可∮加热，加热温度室温～700℃；
样品台可升降调节，调节范围±10mm
三、系统组成：
本系统主要由真空室系统、靶及电源系统、样品台系统、磁力送样系统、
真空获得及测量系统、气路系统、电控系统及台架系统等组成！
