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                霍尔效★应测试仪

                霍尔效应测试仪
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                • 霍尔效应测试仪
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                BM-1 (HMS)
                科睿技术发展有限公司
                上海
                详细说明
                霍尔效应测试仪
                产品特性:
                1、  可靠的精度及重现性
                恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置,将可以接收的误差降到最低;范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声;软硬件有针对性的设计,确保每个实验■数据均为多次测试的平均值,使仪器拥有非常好的数据ζ重现性。
                2、  产品小型化及操作简单化
                小尺寸的磁□场强度输入系统使用永磁体和液氮︻低温测量系统(77K),确保仪器操作非常简单;两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB),使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量,区别①于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更ω 小。
                3、  I-V曲线及I-R曲线测量
                采用图表的方式,测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及○电流-电阻关系,并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。
                4、  多样的实验结果
                实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流№子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。
                产品规格:
                1、  主要实验参数▆
                输入电流
                电阻率
                (.㎝)
                载流子浓度
                (1/cm3)
                迁移率
                (cm2/Volt.sec)
                磁场强度
                (Tesla)
                温度
                (K)
                样品测△量板
                 
                 
                1nA – 20mA
                 
                10-4 - 107
                 
                107 – 1021
                 
                1 - 107
                0.37
                0.55
                1
                77
                300
                PCB样品板
                (6×6mm,20×20mm)
                SPCB 弹簧片样品板
                2、  软件操作环境
                    Windows 98 / ME / 2000 / NT / XP环境下
                3、  实验结果
                体载流子浓度、表面载流子浓度;
                迁移率、霍尔系数;
                电阻率;
                磁致电阻;
                电阻的纵横比率;
                4、  仪器【尺寸和重量
                主机尺寸:360×300×105 mm (W×H×D)  磁体Kit尺寸:200×120×110 mm (W×H×D);
                净重:7.7千克;
                5、  测量材料
                Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有→半导体薄膜(P型和N型);
                 
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