摘要：本实用新型公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工装置。该装置采用两束激光分别与加工平面的法线方向对□ 称倾斜角度+θ和－θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表面下方，将加工平面沿着槽线方向平移，两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本实用新型具有▼能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。
- 专利类型实用新型
- 申请人北京国科世纪㊣激光技术有限公司;
- 发明人樊仲维;裴博;边强;赵剑波;石朝晖;崔建丰;张晶;牛岗;王裴峰;
- 地址100080北京】市海淀区上地四街1号
- 申请号CN200520104285.X
- 申请时间2005年08月23日
- 申请公布号CN2845176Y
- 申⊙请公布时间2006年12月06日
- 分类号H01L31/18(2006.01);H01L21/302(2006.01);
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