摘要：本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行＠第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至870～920℃，并将硅片稳定放置10～30分钟进行再分布；(3)进行第二次扩散：扩散温度在870～920℃，时间为1～10分钟；(4)扩散过★程结束，扩散炉降温，并将硅片取出。本发明基于以上方法，得到了更加优化的发射区掺╱杂曲线，从而降低了发射区中高掺♀杂带来的俄歇复合，可使电池的短路电流提高0.5～1mA/cm2。采用以上方法时发射区的薄层电阻以及发射区和栅『线间的接触电阻都不会增加，并且〓所有扩散步骤仍在炉管中连续进行，并未增加工艺的复杂性。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京市太阳能研究所有限公司;
- 发明人励旭东;宋爽;勾宪芳;吴鑫;孙秀菊;
- 地址100083北〓京市海淀区花园路3号
- 申请号CN200710304344.1
- 申请时间2007年12月27日
- 申请公布号CN101217170A
- 申请公布时间2008年07月09日
- 分类号H01L31/18(2006.01);H01L21/223(2006.01);
