摘要：本实用新型公开了一种CMOS器件保护电路和CMOS电路。该CMOS器件保护电路设置在干扰源电路和CMOS器件输入电路之间，在所述干扰源电路产生大能量的干扰电压时，所述CMOS器件保护电路可对所述CMOS器件输入电路进行保护，从而避免所述CMOS器件输入电路中的CMOS器件受到所述大能量的干扰电压的干扰。其中，所述CMOS器件保护电路包括：能量转化电路，或能量泄放电路，或能量吸收∮电路，能够↑以多种形式实现。
- 专利类型实用新型
- 申请人北京♂经纬恒润科技有限公司;
- 发明人吴金振;庞师锋;
- 地址100101 北京市朝阳区安翔北里11号B座8层
- 申请号CN201320509825.7
- 申请时间2013年08月20日
- 申请公＠ 布号CN203423485U
- 申请公布时☆间2014年02月05日
- 分类号H02H9/04(2006.01)I;
