摘要：本实用新型公开了一种高性能薄膜电阻，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有采用气相沉积法获得的电阻ζ 薄膜，在每个电阻薄膜的两侧及两侧边缘设有采用气相沉积法获得的引出电极及顶部电极，引出电极︽与顶部电极连接为一体，在电阻薄膜的顶面及顶部电极的顶面上设有采用气相沉积法获得的绝缘保护膜。本实用新型采用在绝缘基板上设有采用气相沉积法获得的电阻薄膜、电极以及绝缘保护膜，他们的厚度小，附着力强，能保证产品的质量稳定性，而且适合№产业化生产。本实用新型结构简单，适用范▽围广，使用效果好。
- 专利类型实用新型
- 申请人贵州大学;
- 发明人邓朝勇;雷远清;崔瑞瑞;张荣芬;
- 地址550003 贵州↑省贵阳市蔡家关贵州大学科技处
- 申请号CN201120217033.3
- 申请时间2011年06月24日
- 申请公布号CN202093910U
- 申请公布卐时间2011年12月28日
- 分类号H01C7/00(2006.01)I;H01C1/00(2006.01)I;H01C1/14(2006.01)I;
